Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 3

Modeling the ballistic and tunnel source-drain currents in Silicon Nanowire MOSFETs

nr katalogowy: 58382

Silicon nanowire MOSFETs due to excellent controllability of the channel by the gate electrode are promising as next generation device structures for further CMOS scaling. Nanowire MOSFETs have been extensively investigated and both compact and numerical models of ballistic current have been reported [1, 2]. However, modelling of only the ballistic component of the current is not sufficient. If the channel is short enough, the tunnel component becomes significant. Silicon nanowire MOSFET structure We assume a simple square cross section Si nanowire N-MOSFET structure (Fig. 1) with an intrinsic channel, midgap gate and SiO2 as a gate dielectric, source and drain doping concentration ND = 10 20 cm-3. Due to strong quantum confinement in a very narrow (3…5 nm) nanowire cross section, transport occurs along onedimensional subbands. The 1D subbands profiles for all six silicon energy valleys and for the lowest quantum numbers were extracted from results of the NEGF simulations and the transfer matrix (TM) method was applied to calculate the source-drain current. Ballistic current was calculated by integrating current contributions for energies above the top of the potential bar[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 58382 "Modeling the ballistic an..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-3 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2011-3

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma