Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
ATEST - OCHRONA PRACY
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AURA
AUTO MOTO SERWIS
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
GAZETA CUKROWNICZA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
ODZIEŻ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
Menu
Menu
Menu
Prenumerata
Prenumerata
Publikacje
Publikacje
Drukarnia
Drukarnia
Kolportaż
Kolportaż
Reklama
Reklama
O nas
O nas
ui-button
Twój Koszyk
Twój koszyk jest pusty.
Niezalogowany
Niezalogowany
Zaloguj się
Zarejestruj się
Reset hasła
Czasopismo
|
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
|
Rocznik 2019 - zeszyt 9
Homoepitaksja węglika krzemu dla przyrządów mocy w Sieci Badawczej Łukasiewicz - ITME
Silicon Carbide Homoepitaxy for Power Devices at Lukasiewicz Research Network - ITME
10.15199/48.2019.09.32
T. CIUK
W. KASZUB
K. KOŚCIEWICZ
D. CZOŁAK
A. DOBROWOLSKI
J. JAGIEŁŁO
A. CHAMRYGA
R. BUDZICH
B. STAŃCZYK
K. PRZYBOROWSKA
A. HARMASZ
K. GÓRA
A. KOZŁOWSKI
P. MICHAŁOWSKI
P. CIEPIELEWSKI
I. JÓŹWIK
D. TEKLIŃSKA
E. TYMICKI
R. KOZŁOWSKI
M. KOZUBAL
P. KAMIŃSKI
nr katalogowy: 122092
10.15199/48.2019.09.32
Streszczenie
Sieć Badawcza Łukasiewicz - ITME posiada wieloletnie doświadczenie w homoepitaksji warstw węglika krzemu na przewodzących podłożach 4H-SiC o średnicy do 3 cali. Technologia wzrostu obejmuje warstwy nieintencjonalnie domieszkowane, warstwy typu "n" oraz warstwy typu "p". Koncentracja powierzchniowa defektów wynosi ~7000 cm-2 dla przypadku podłoża odchylonego o 4° od płaszczyzny (0001) w kierunku [11- 20]. Nowoczesne wyposażenie laboratoryjne pozwala na kompleksową charakteryzację w oparciu o techniki AFM, SEM, SIMS, DLTS, spektroskopię Ramana oraz pomiar charakterystyk I-V i C-V.
Abstract
Lukasiewicz Research Network – ITME has had many years of experience in silicon carbide homoepitaxy on conducting up to 3-in 4H-SiC substrates. The growth technology covers unintentionally doped layers, n-type layers and p-type layers. Surface etched pit density is below 7000 cm- 2 for a substrate that is 4° off-axis from the (0001) plane towards the [11-20] direction. Modern laboratory equipment allows for a comprehensive characterisation based on AFM, SEM, SIMS, DLTS, Raman spectroscopy, and I-V and C-V measurements.
Słowa kluczowe
węglik krzemu
homoepitaksja
przyrządy mocy
Keywords
silicon carbide
homoepitaxy
power devices
Bibliografia
[1] Status of the Power Electronics Industry Report, Yole Development, (2017) [2] Semiconductors Today, 6 (1) (2011), 34 (http://viewer.zmags.com/publication/4c2229e7#/4c2229e7/35) [3] Feng Z.C., SiC Power Materials: Devices and Applications, Springer, Germany (2004) [4] Strupinski W., Kościewicz K., Weyher J., Olszyna A., Effect of Substrates Thermal Etching on CVD Growth of Epitaxial Silicon Carbide Layers, Materials Science Forum, 600-603 (2009), 155-158 [5] Kosciewicz K., Strupinski W., Olszyna A., Comparison Between Polishing Etching of On and Off-axis C and Si-faces of 4H-SiC Wafers, Materials Science Forum, 615-617 (2009), 597-600 [6] Kosciewicz K., Strupinski W., Wierzchowski W., Wieteska K., Olszyna A., Polytypism Study in SiC Epilayers Using Electron Backscatter Diffraction, Materials Science Forum (2010), 645- 648 [7] Kościewicz K., Strupiński W., Teklińska D., Mazur K., Olszyna A., Epitaxial growth on 4H-SiC on-axis, 0.5°, 1.25°, 2°, 4°, 8° off-axis substrates - defects analysis and reduction, Materials Science Forum, 679-680 (2011), 95-98 [8] Kościewicz K., Bożek R., Strupiński W., Olszyna A., Microscopic Investigation of SiC Epitaxial LAyers on On-axis 4H-SiC Substrates Using Kelvin Probe Force Microscopy, Acta Physica Polonica A, 116 (2009), 69-71 [9] Nishizawa S., Mercier F., Effect of nitrogen and aluminium on silicon carbide polytype stability, Journal of Crystal Growth, 518 (2019), 99-102 [10] Zhao L., Wu H., A correlation study of substrate and epitaxial wafer with 4H-N type silicon carbide, Journal of Crystal Growth, 507 (2019), 109-112 [11] Dhanaraj G., Dudley M, Chen Y., Ragothamachar B., Wu B., Zhang H., Epitaxial growth and characterization of silicon carbide films, Journal of Crystal Growth, 287 (2006), 344-348 [12] Ferro G., Chaussende D., Tsavdaris N., Understanding Al incorporation into 4H-SiC during epitaxy, Journal of Crystal Growth, 507 (2019), 338-343 [13] Pedersen H., Beyer F.C., Hassan J., Henry A., Janzen E., Donor incorporation in SiC epilayers grown at high growth rate with chloride-based CVD, Journal of Crystal Growth, 311 (2009), 1321-1327 [14] Kaminski P., Kozubal M., Caldwell J. D., Kew K. K., Van Mil B. L., Myers-Ward R. L., Eddy Jr. Ch. R., Gaskill K., Deep-level defects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons, Materiały Elektroniczne, 38 (2010), nr. 3/4, 26-34 [15] Capan I., Brodar T., Coutinho J., Ohshima T., Markevich V., Peaker A. R., Acceptor levels of the carbon vacancy in 4H-SiC: Combining Laplace deep level transient spectroscopy with density functional modelling, Journal of Applied Physics 124 (2018), 245701(1-10)
Treść płatna
Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp -
zaloguj się
.
Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!
Publikacja
e-Publikacja (format pdf) - nr 122092 "Homoepitaksja węglika krz..."
licencja: Osobista
Produkt cyfrowy
10.00 zł
Do koszyka
Zeszyt
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2019-9
licencja: Osobista
Produkt cyfrowy
55.00 zł
Do koszyka
Prenumerata
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista
Produkt cyfrowy
Nowość
762.00 zł
Do koszyka
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista
Szczegóły pakietu
Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
1002.00 zł brutto
927.78 zł netto
74.22 zł VAT
(stawka VAT 8%)
1002.00 zł
Do koszyka
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista
Szczegóły pakietu
Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna
960.00 zł brutto
888.89 zł netto
71.11 zł VAT
(stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka
42.00 zł brutto
34.15 zł netto
7.85 zł VAT
(stawka VAT 23%)
1002.00 zł
Do koszyka
Zeszyt
2019-9
Czasopisma
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH