Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2016 - zeszyt 8

Amorficzne półprzewodniki tlenkowe dla elektroniki przezroczystej i elastycznej

10.15199/13.2016.8.13

nr katalogowy: 100444
10.15199/13.2016.8.13

Przedmiotem badań są przezroczyste amorficzne półprzewodniki tlenkowe i przezroczyste tlenki przewodzące - unikatowa klasa materiałów elektronicznych łączących cechy amorficznej mikrostruktury i kontrolowanego przewodnictwa elektrycznego przy zachowaniu wysokiej transmisji optycznej w obszarze widzialnym. W ramach prac prowadzonych w Instytucie Technologii Elektronowej opracowano technologię wytwarzania przezroczystych amorficznych warstw In-Ga -Zn-O o kontrolowanych w szerokim zakresie właściwościach transportowych. Zrozumienie mechanizmów formowania się amorficznych warstw tego materiału oraz wpływu parametrów procesu osadzania na jego właściwości elektryczne umożliwiło wytworzenie stabilnych kontaktów prostujących oraz całkowicie przezroczystych tranzystorów MESFET na giętkich podłożach, w tym na folii i papierze. W przyszłości na bazie opracowanych przyrządów wytworzone zostaną zintegrowane telemedyczne systemy diagnostyki osobistej wykonane w formie elementów przyklejanych na skórę. Słowa kluczowe: elektronika przezroczysta, elektronika elastyczna, amorficzne półprzewodniki tlenkowe, tranzystory cienkowarstwowe.Elektronika przezroczysta jak i elektronika elastyczna stają się jednymi z najbardziej obiecujących technologii dla przyszłych przyrządów i urządzeń elektronicznych. W szczególności, przewiduje się, że przezroczyste, elastyczne przyrządy półprzewodnikowe będą stanowiły istotny wkład do gwałtownie rozwijającej się koncepcji Internetu Przedmiotów (ang. Internet of Things, IoT), wedle której jednoznacznie identyfikowalne obiekty mogą pośrednio albo bezpośrednio gromadzić, przetwarzać lub wymieniać dane za pośrednictwem sieci informatycznych. Do tego typu przedmiotów zaliczają się między innymi urządzenia gospodarstwa domowego, artykuły oświetleniowe, sensory biochemiczne, ubrania, opakowania itp. Rozwój elektroniki użytkowej zależy w dużej mierze od wydajności, powtarzalności, niezawodności i kosztów wytworzenia tranz[...]

Bibliografia

[1] H. Hosono, N. Kikuchi, N. Ueda, H. Kawazoe, (1996) Working hypothesis to explore novel wide band gap electrically conducting amorphous oxides and examples., J. Non-Cryst. Solids 198-200, 165-169.
[2] K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, (2004) Room-temperature fabrication of transparent flexible thinfilm transistors using amorphous oxide semiconductors, Nature 432, 488-492.
[3] E. Fortunato, P. Barquinha, R. Martins, (2012) Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors: A Review of Recent Advances, Adv. Mater. 24, 2945-2986.
[4] A. Nathan, S. Lee, S. Jeon, J. Robertson, (2014) Amorphous oxide semiconductor TFTs for displays and imaging., IEEE/OSA Journal of Display Technology 10, 917-927.
[5] J. Kaczmarski, T. Boll, M. A. Borysiewicz, A. Taube, M. Thuvander, J. Y. Law, E. Kamińska, K. Stiller, (2016) Controlling In- Ga-Zn-O thin films transport properties through density changes, Thin Solid Films 608, 57-61.
[6] T. Kamiya, K. Nomura, H. Hosono, (2010) Present status of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors, Sci. Technol. Adv. Matt 11, 044305.
[7] J. Kaczmarski, A. Taube, E. Dynowska, J. Dyczewski, M. Ekielski, D. Pucicki, E. Kamińska, A. Piotrowska, (2013) "In-Ga- Zn-O amorphous thin-films for transparent electronics", Proceedings of SPIE 8902.
[8] J. Kaczmarski, A. Taube, E. Dynowska, J. Dyczewski, M. Ekielski, E. Kamińska, A Piotrowska, (2013) "Fabrication and Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Material and Transistors", Acta Physica Polonica A 124, 855.
[9] J. Grochowski, Y. Hanyu, K. Abe, J. Kaczmarski, J. Dyczewski, H. Hiramatsu, H. Kumomi, H. Hosono, T. Kamiya, (2015) "Origin of Lower Film Density and Larger Defect Density in Amorphous In-Ga-Zn-O Deposited at High Total Pressure", IEEE Journal of Display Technology 11, 523.
[10] H. Frenzel, A. Lajn, H. von Wenckstern, M. Lorenz, F. Schein, Z. Zhang, M. Grundmann, (2010) Recent Progress on ZnOBased Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors and Their Application in Transparent Integrated Circuits, Adv. Mater. 22, 5332-5349.
[11] J. Kaczmarski, J. Grochowski, E. Kamińska, A. Taube, J. Dyczewski, W. Jung, E. Dynowska, A. Piotrowska, (2015) "Transparent Amorphous Ru-Si-O Schottky Contacts to In-Ga-Zn-O", IEEE Journal of Display Technology 11, 528.
[12] J. Kaczmarski, J. Grochowski, E. Kamińska, A. Taube, M. Kozubal, W. Jung, E. Dynowska, A. Piorowska, (2014) "Diody Schottky’ego i tranzystory MESFET na bazie In-Ga- Zn-O z przezroczystą bramką Ru-Si-O", Elektronika 55, 24.
[13] J. Kaczmarski, J. Grochowski, E. Kamińska, A. Taube, W. Jung, A. Piotrowska, (2014) "In-Ga-Zn-O MESFET with transparent amorphous Ru-Si-O Schottky barier", Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 8, 625.
[14] J. Kaczmarski, J. Grochowski, E. Kamińska, A. Taube, M. A. Borysiewicz, K. Pągowska, W. Jung, A. Piotrowska, (2015) "Enhancement of Ru-Si-O/In-Ga-Zn-O MESFET performance by reducing depletion region trap density", IEEE Electron Device Letters 36, 69.
[15] J. Kaczmarski, M. A. Borysiewicz, K. Pągowska, E. Kamińska, (2016) "Fabrication and properties of amorphous Zinc Oxynitride thin films", Acta Physica Polonica A 129, 150.

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 100444 "Amorficzne półprzewodniki..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2016-8 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2016-8

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma