Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2017 - zeszyt 8

Zastosowanie dielektryków high-k w przyrządach mocy wytwarzanych w technologii węglika krzemu

Application of high-k dielectric films in silicon carbide power devices

10.15199/48.2017.08.28

nr katalogowy: 108540
10.15199/48.2017.08.28

Streszczenie

W artykule omówiono zalety zastosowania warstw dielektrycznych o wysokim współczynniku przenikalności elektrycznej osadzanych techniką ALD (ang. Atomic Layer Deposition) i praktyczne aspekty ich wykorzystania w przyrządach mocy typu MOSFET wytwarzanych w technologii węglika krzemu (SiC).

Abstract

This article describes the benefits of high-k dielectrics' application in silicon carbide (SiC) technology aimed for production of power MOSFETs. The importance of the finding a new dielectric material for SiC MIS structures is explained and the main application problems are disscussed. The stacked dielectric layers of Al2O3/SiO2 and ZrO2/SiO2 manufactured by atomic layer deposition technique (ALD) on 4H-SiC substrates are then investigated by means of electrical methods useful in power device technology.

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] Wright N.G., Poolamai N., Vassilevski K., Horsfall A.B., Johnson C.M., Benefits of High-k Dielectrics in 4H-SiC Trench MOSFETs, Materials Science Forum, Vols. 457-460 (2004), 1433-1436
[2] Clark R.D., Emerging Applications for High K Materials in VLSI Technology, Materials, vol. 7 (2014), 2913-2944
[3] Lipkin L.A., Palmour J.W., Insulator Investigation on SiC for Improved Reliability, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 46 (1999), No. 3
[4] Lenzlinger M., Snow E.H., Fowler‐Nordheim Tunneling into Thermally Grown SiO2, Journal of Applied Physics, Vol. 40 (1969), 278
[5] Fleetwood D.M., Shaneyfelt M.R., Warren W.L., Schwank J.R., Meisenheimer T.L., Winokur P.S., Border traps: issues for MOS radiation response and long-term reliability, Microelectron. Reliab., v.35 (1995), No 3, 403

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 108540 "Zastosowanie dielektryków..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2017-8 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2017-8

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma