Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2016 - zeszyt 7

Memrystor - brakujący element elektroniczny

10.15199/13.2016.7.3

nr katalogowy: 99867
10.15199/13.2016.7.3

Określenie memrystor odnosi się do klasy dwukońcówkowych, pasywnych elementów elektronicznych, charakteryzujących się nieliniową zależnością prądowo-napięciową z pętlą histerezy oraz zdolnością do zapamiętywania swojego stanu (oporu elektrycznego) [1]. Właściwości memrystorów opisane zaostały w pracy Leona Chua w 1971 roku [2]. Jednakże prawdziwy rozgłos memrystor zyskał w 2008 roku za sprawą publikacji naukowców z laboratoriów firmy Hewlett Packard [3]. Odkrycie memrystora zweryfikowane zostało następnie krytycznie w 2015 roku. Niniejsza praca zawiera przegląd dotyczący podstawowych właściwości i potencjalnego zastosowania memrystorów. W artykule zamieszczono również przykłady właściwości cienkowarstwowych struktur na bazie tlenków metali przejściowych, dla których obserwowany jest efekt histerezy na charakterystykach prądowo-napięciowych. Słowa kluczowe: memrystor, pasywne elementy elektroniczne.Podstawowe właściwości me mrystorów Zrozumienie, czym jest memrystor wymaga odniesienia się do właściwości znanych trzech pasywnych elementów elektronicznych: kondensatora (Ewald Georg von Kleist 1745), rezystora (Georg Simon Ohm 1827) i induktora (Michael Faraday 1831) oraz zależności wiążących właściwości tych elementów z takimi podstawowymi wielkościami w elektronice, jak: napięcie (u), prąd (i), ładunek elektryczny (q) i strumień magnetyczny (j). Zależności te przedstawione zostały na rys. 1. Z grafu przedstawionego na rys. 1. wynika, że może istnieć również prosta zależność miedzy ładunkiem elektrycznym a strumieniem magnetycznym. Zależność ta zaproponowana została w 1971 roku przez Leona Chua [2] w postaci: dφ = Mdq, (1) gdzie: M - memrystancja. Memrystor jest elementem, którego stan może być kon[...]

Bibliografia

[1] Chew Z.J., Li L., 2013, A discrete memristor made of ZnO nanowires synthesized on printed circuit board, Materials Letters, 91, s. 298-300.
[2] Chua L.O., 1971, Memristor - The Missing Circuit Element, IEEE Transactions on Circuit Theory, vol. CT-18, nr 5, s. 507-519.
[3] Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R., Williams R.S., 2008, The missing memristor found, Nature 453, s. 80-83.
[4] Chua L.O., Kang S.Mo, 1976, Memristive devices and systems, Proc. IEEE 64, 2, s. 209.
[5] Radwan A.G., Fouda M.E., 2015. On the Mathematical Modeling of Memristor, Memcapacitor, and Meminductor, Springer.
[6] V ongehr S., Meng X., 2015.The Missing Memristor has Not been found, Nature Scientific Reports 5:11657.
[7] Adhikari S.P., Sah M.P., Kim H., Chua L.O., 2013, Three Fingerprints of Memristor, IEEE Transactions on Circuits and Systems, 60, s. 3008-3021.
[8] Dongale T.D., Shinde S.S., Kamat R.K., Rajpure K.Y., 2014, Nanostructured TiO2 thin film memristor using hydrothermal process, J. All. Comp., 593, s. 267-270.
[9] Kim K.M., Han S., Hwang C.S., 2011, Electronic bipolar resistance switching in an anti-serially connected Pt/TiO2 /Pt structure for improved reliability, Nanotechnology 23, 035201, s. 1-7.
[10] Awais M.N., Muhammad N.M., Navaneethan D., Kim H.C., Jo J., Choi K.H., 2013, Fabrication of ZrO2 layer through electrohydrodynamic atomization for the printed resistive switch (memristor), Microelectronic Engineering, 103, s. 167-172.
[11] Parreira P., McVitie S., MacLaren D.A., Resistive switching in ZrO2 films: physical mechanism for filament formation and dissolution, J. Phys.: Conference Series 522, 2014.
[12] Han Y., Cho K., Kim S., 2011, Characteristics of multilevel bipolar resisitve switching in Au/ZnO/ITO devices on glass, Microelectronic Engineering, 88, s. 26082610.
[13] Tan T.T., Chen X., Guo T.T., Liu Z.T., 2013, Bipolar Resistive Switching Characteristics of TiN/Hf/ITO Devices for Resistive Random Access Memory Applications, Chinese Physics Letters, 30, s. 107302-1-107302-3.
[14] Lee H-Y., Chen P-S., Wang C-C., Maikap S., Tzeng P-J., Lin C-H., Lee L-S., Tsai M-J., 2007, Low-Power Switching of Nonvolatile Resistive Memory Using Hafnium Oxide, Japanese Journal of Appl. Phys., 46, s. 2175-2179.
[15] Domaradzki J., 2016, Perspectives of development of TCO and TOS thin films based on (Ti-Cu)oxide composites, Surf. Coat. Technol., 290, s. 28-33.

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 99867 "Memrystor - brakujący ele..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2016-7 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2016-7

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma