Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2015 - zeszyt 11

Resistive memory physical mechanism in a thin-film Ag/YBa2Cu3O7-x/Ag structure

10.15199/48.2015.11.72

nr katalogowy: 94771
10.15199/48.2015.11.72

This paper presents results of experimental research on the electro-resistance memory effect in a thin-film Ag/YBa2Cu3O7-x/Ag structure at temperatures of 78K to 300K. This phenomenon was explained by processes of destruction and recovery the oxygen-depleted layers situated close to electrodes and within the superconductor volume. The processes occur through ion electro-diffusion by numerous oxygen vacancies existing in perovskite-type materials. Streszczenie. W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych zjawiska pamięci elektrorezystancyjnej w strukturze cienkowarstwowej Ag/YBa2Cu3O7-x/Ag w temperaturach od 78K do 300K. Zjawisko to wyjaśniono procesami likwidacji i odtwarzania warstw zubożonych w jony tlenu, znajdujących się w sąsiedztwie elektrod oraz w objętości nadprzewodnika. Procesy te zachodzą na drodze elektrodyfuzji jonów poprzez liczne wakansy tlenowe obecne w materiałach typu perowskitu. (Mechanizm fizyczny pamięci rezystancyjnej w cienkowarstwowej strukturze Ag/YBa2Cu3O7-x/Ag). Keywords: high-temperature superconductors, electro-resistance memory effect, current and temperature characteristics, oxygen-ion electro-diffusion. Słowa kluczowe: nadprzewodniki wysokotemperaturowe, zjawisko pamięci elektrorezystancyjnej, charakterystyki prądowe i temperaturowe, elektrodyfuzja jonów tlenu. Introduction A long-lasting competition in the field of electronics in trying to achieve greater computer memory capacities comes across significant development difficulties. The ability of minimizing the sizes and the energy needed to record and read information in traditional RAM memories based on semi-conductors, and, consequently, the possibility of enlarging their capacity have already reached their apex. Thus, increased scientific activity in search of new materials and mechanisms that could be used to build elements of RAM memory can be observed recently. The analysis of development trends in this field, carried out in [1], has l[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 94771 "Resistive memory physical..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2015-11 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2015-11

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma