Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2014 - zeszyt 9

Diody Schottky‘ego i tranzystory MESFET na bazie In-Ga-Zn-O z przezroczystą bramką Ru-Si-O

10.15199/ELE-2014-123

nr katalogowy: 86743
10.15199/ELE-2014-123

Przezroczyste amorficzne półprzewodniki tlenkowe (ang. Transparent amorphous oxide semiconductors, TAOS), w tym tlenek indowo-galowo-cynkowych (a-IGZO), to materiały szerokoprzerwowe łączące cechy wysokiej transmisji optycznej z kontrolowanym przewodnictwem elektrycznym [1, 2]. Grupa przezroczystych amorficznych półprzewodników tlenkowych budzi uzasadnione zainteresowanie badawcze oferując szeroki wachlarz potencjalnych zastosowań - od przezroczystych przyrządów półprzewodnikowych i układów elektronicznych do całej gamy sensorów biomedycznych i optoelektronicznych, wytwarzanych zarówno na sztywnych jak i giętkich podłożach [3, 4]. Jednym z głównych wyzwań tej technologii jest wytworzenie niezawodnych kontaktów Schottky’ego, które umożliwiłyby rozwój przezroczystych cienkowarstwowych tranzystorów polowych ze złączem metal-półprzewodnik (ang. Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor, MESFET). Niezawodne, przezroczyste kontakty Schottky’ego do przezroczystych półprzewodników tlenkowych powinny być wysokoprzewodzące, odporne na utlenianie oraz cechować się wysoką transmisją optyczną. Podczas osadzania metalizacji na powierzchnię TAOS, ze względu na powinowactwo chemiczne do tlenu, dochodzi do dyfuzji atomów O z półprzewodnika do obszaru przypowierzchniowego. Powoduje to powstanie zlokalizowanych stanów pułapkowych na interfejsie metal-półprzewodnik. W efekcie dochodzi do zwężenia obszaru zubożonego, zwiększając prawdopodobieństwo tunelowania nośników przez barierę potencjału [5, 6]. W celu przywrócenia stechiometrii obszaru przypowierzchniowego stosuje się dodatkowe procesy technologiczne, takie jak obróbka plazmą tlenową oraz wygrzewanie w atmosferze utleniającej przed osadzeniem metalizacji. Alternatywne podejście zakłada wykorzystanie, w roli bariery Schottky’ego, tlenków metali, których skład atomowy jest skuteczny w zapobieganiu dyfuzji tlenu w obszarze złącza [7-9]. W dotychczasowych pracach dotyczącyc[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 86743 "Diody Schottky‘ego ..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2014-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2014-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma