Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2014 - zeszyt 8

Modelowanie wpływu koncentracji centrów defektowych na rezystywność monokryształów krzemu

10.12915/pe.2014.08.053

nr katalogowy: 85971
10.12915/pe.2014.08.053

Przedstawiono sposób symulacyjnego wyznaczania rezystywności monokrystalicznego krzemu w zależności od koncentracji sześciu rodzajów centrów defektowych o różnych właściwościach. Możliwości wykorzystania symulatora zademonstrowano na przykładzie wyników uzyskanych dla domieszkowanego azotem monokryształu krzemu o dużej rezystywności przed oraz po napromieniowaniu wysokoenergetycznymi neutronami. Abstract. We demonstrate the method of simulating the resistivity of monocrystalline silicon as a function concentrations of six kinds of defect centers with various properties. The potentialities of the simulator are exemplified by the results obtained for the nitrogen-doped high resistivity silicon single crystal before and after irradiation with high-energy neutrons. (Modelling of defect centers influence on the resistivity of silicon single crystals). Słowa kluczowe: Si, rezystywność, centra defektowe, badania symulacyjne. Keywords: Si, resistivity, defect centers, simulation studies . doi:10.12915/pe.2014.08.53 Wstęp Monokrystaliczny krzem o wysokiej rezystywności (ρ ≥ 2 kΩcm) jest obecnie szeroko stosowany do wytwarzania detektorów półprzewodnikowych wykorzystywanych w wielu dziedzinach nauki i techniki. W szczególności należy wymienić detektory wykorzystywane w energetyce jądrowej i technice kosmicznej, a także detektory cząstek o wysokiej energii powstających w wyniku zderzeń protonów przyspieszanych do prędkości zbliżonych do prędkości światła. Jednym z głównym problemów ograniczających obszar zastosowań detektorów krzemowych jest zachodząca podczas pracy degradacja ich parametrów wskutek powstawania w materiale radiacyjnych centrów defektowych [1, 2]. W wyniku przeprowadzonych dotychczas badań powstała duża baza wiedzy o właściwościach elektrycznych i strukturze mikroskopowej defektów radiacyjnych w monokryształach krzemu [2-8]. Należy jednak dodać, że wartości energii aktywacji oraz koncentracji radiacyjnych [...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 85971 "Modelowanie wpływu koncen..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2014-8 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2014-8

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma