Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2013 - zeszyt 10

Influence of the AP MOVPE process conditions on InGaAsN/GaAs MQW MSM photodetectors parameters

nr katalogowy: 79982

Unique properties of the diluted nitrides such as a negative and huge bowing coefficient (up to -40 eV) strongly dependent on composition [1] and a large conduction band CB offset (> 300 meV) [2] come from a size difference between N and As atoms and a large electronegativity of N compared to Ga and As. There are a lot of papers devoted to applying these materials in very efficient infrared light emitters based on multiple quantum wells or dots in opposition to photodetectors. It is mainly connected with a large electron effective mass of dilute nitrides and a considerable alloy scattering what decreases electron mobility and deteriorates the frequency performance of photodetectors. On the other hand investigations of absorption properties of dilute nitrides are very important in the point of view of their application in multijunction solar cells. This work presents the influence of the growth temperature and nitrogen concentration in the gas phase on the optical quality of the triple quantum wells 3×InyGa1-yAs1-xNx/GaAs grown by AP MOVPE. Applying of MQW structures allows to avoid a deterioration of InGaAsN structural parameters caused by exceeding a critical thickness. Optical properties of the epitaxial structures were examined using contactless electro-reflectance spectroscopy CER and photoluminescence PL. To check the absorption properties of the MQW structures the MSM test devices were fabricated and dc current-voltage characteristics were measured using two wavelengths of 904 nm and 980 nm and the optical power of 10 μW. Experimental details The InyGa1-yAs1-xNx/GaAs MQW heterostructures were grown on semi-insulating SI GaAs substrates by AP MOVPE using AIX200 R&D Aixtron reactor. Trimethylgallium (TMGa), trimethylindium (TMIn), tertiarybutylhydrazine (TBHy) and 10% mixture of AsH3 in H2 were used as growth precursors, while a high purity H2 was used as a carrier gas. Undoped MQW structures consisted of 450 nm th[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 79982 "Influence of the AP MOVPE..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2013-10 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2013-10

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma