Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2013 - zeszyt 10

Wykorzystanie metody Taguchi'ego do optymalizacji procesu ultra-płytkiej implantacji fluoru i azotu z plazmy w. cz.

nr katalogowy: 79977

Obserwowany już od wielu lat rozwój technologii przyrządów półprzewodnikowych wiąże się z wprowadzaniem nowych rozwiązań materiałowo-konstrukcyjnych [np. 1, 2]. Ekstremalne zalecenia International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) doprowadziły np. do sytuacji, że grubości tlenków bramkowych we współczesnych, najbardziej zaawansowanych krzemowych układach scalonych osiągnęły ograniczenia fundamentalne, i aktualnie są mniejsze od 1 nm [3]. Jedną z przełomowych zmian w technologii półprzewodnikowej w ostatnich latach, przez niektórych porównywaną do odkrycia tranzystora i lasera, było całkowite zastąpienie termicznego dwutlenku krzemu (SiO2), używanego dotychczas w funkcji dielektryka bramkowego w przyrządach półprzewodnikowych MOS, materiałem dielektrycznym o wysokiej wartości przenikalności elektrycznej, tzw. high-k dielectric [4, 5]. Pomimo wprowadzenia tego typu dielektryków do technologii komercyjnych układów scalonych, zapotrzebowanie na dobrej jakości system półprzewodnik/ dielektryk stanowi nadal ważne zagadnienie. Jedną z metod poprawy niezawodności i powtarzalności technologii struktur MOS, jest wprowadzanie jonów fluoru lub azotu w obszar półprzewodnika, w którym zlokalizowana jest bramka tranzystora [np. 6, 7]. Przeprowadzenie implantacji tych jonów w obszar bramkowy krzemowych struktur MOS, powoduje poprawę szeregu parametrów elektro-fizycznych struktur półprzewodnikowych, m.in.: redukcję niestabilności napięcia progowego [9], wzrost odporności na radiację [9], czy zwiększenie nośników w kanale tranzystora MOSFET [10]. Co najważniejsze, zmniejsza również gęstość stanów powierzchniowych, które jest decydującym parametrem z punktu widzenia działania tranzystora MOSFET [11]. Do tej pory zaproponowano szereg metod implantacji jonów w obszar bramki półprzewodnika. Do metod tych można zaliczyć m.in. klasyczną implantację jonów [12], osadzanie z fazy ciekłej LPD (ang. Liquid Phase Deposition) [13], czy utlenia[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 79977 "Wykorzystanie metody Tagu..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2013-10 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2013-10

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma