Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2013 - zeszyt 9

Analysis of temperature dependence of dark current mechanisms in MWIR type-II superlattice photodiodes

nr katalogowy: 79327

In the middle of 1970's investigations on the InAs/GaSb superlattice (SL) near lattice-matched systems were performed as an alternative to the GaAs/AlAs SLs. The ability of the InAs/GaSb material system to achieve small infrared (IR ) energy gaps was first realized in 1977 [1]. At once the type II band offset in this system was revealed [2] and the potential use of this system in the IR photoelectronics was recognized. At present, the InAs/GaSb strained layer superlattices (SLSs) are considered to be an alternative to the HgCdTe IR material systems [3] and a candidate for the third generation IR detectors [4]. This paper is focused on a dark current modelling of the mid wavelength IR (MWIR ) InAs/GaSb SL photodiodes. Reducing this parameter is crucial in order to obtain high device performance. Thus, thorough knowledge of dark current components is decisive. Because of counting carrier transport direct from the superlattice’ band structure is rather complicated (see e.g. [5]), bulk-like modelling is often used [6-10]. In most cases researches are focused on a cryogenic application and close to the zero bias voltage region, where series resistance (Rseries) is usually neglected, due to it small value (in compare to Rdevice). This paper extend analyses up to the high operating temperature (HOT ) - from 120 to 240 K, and bias voltage from -1.6 to +0.3 V. We show how to avoid difficulties related to taking into account Rseries, in the simplest situation - with no exclusion effect. Finally, we compare some of the fitting results, i.e. reduced mass for C1-HH1 transition [m* reduced - see Eq. (6)], with available literature data. 11 4 El ektronika 9/2013 Growth and device design The representative sample presented in this work is the InAs/GaSb SLS pin detector with the SU-8 passivation fabricated in Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, New Mexico. The device structure have been gr[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 79327 "Analysis of temperature d..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2013-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2013-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma