Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2013 - zeszyt 9

Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN

nr katalogowy: 79300

Tranzystory HEMT na bazie heterostruktury AlGaN/GaN, ze względu na wysoką wartość krytycznego pola elektrycznego azotków z grupy III -V oraz na wysoką gęstość i ruchliwość nośników tworzących dwuwymiarowy gaz elektronowy (2DEG) w kanale tranzystora, mogą być potencjalnie wykorzystywane jako element przełączający w układach elektronicznych dużej mocy o wysokiej sprawności [1]. Przyrządy tego typu powinny pracować w trybie normalnie wyłączonym z kanałem indukowanym (napięcie progowe Vth > 0), co zapewnia odporność układu na zaniki zasilania i związane z nimi uszkodzenia. Tranzystory HEMT AlGaN/GaN są typowo tranzystorami normalnie włączonymi z kanałem wbudowanym (napięcie progowe Vth < 0), [2]. W celu uzyskania tranzystorów z kanałem indukowanym stosuje się m.in. trawienie warstwy barierowej pod kontaktem bramki [3], płytką implantację jonów fluoru z plazmy pod kontaktem bramki [4], bądź strukturę neutralizującą efekt piezoelektryczny [5]. Wymaga to zastosowania trudnej w wykonaniu struktury epitaksjalnej, a uzyskiwane wartości napięcia progowego są zazwyczaj stosunkowo niskie. Ze względu na wymienione trudności, bardzo obiecującym sposobem uzyskiwania tranzystorów z kanałem indukowanym jest zastosowanie heterostruktury AlGaN/GaN z warstwą GaN typu p pod kontaktem bramki [6]. Bramka z warstwą GaN typu p wprowadza zubożenie nośników w kanale tranzystora, zapewniając jednocześnie niski prąd upływu. W niniejszej pracy przedstawiono wyniki modelowania tranzystora HEMT AlGaN/GaN z bramką typu p-GaN. Opisano wpływ poszczególnych elementów konstrukcji na parametry elektryczne przyrządu, w szczególności na wartość napięcia progowego oraz maksymalnego prądu drenu w stanie włączenia tranzystora. Symulacje przeprowadzono za pomocą pakietu symulacyjnego ATLAS firmy Silvaco [7], a przyjęte modele parametrów przedstawiono w pracy [8]. Struktura tranzystora Na rysunku 1 przedstawiono strukturę [...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 79300 "Modelowanie normalnie wył..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2013-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2013-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma