Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2013 - zeszyt 8

Domieszkowanie donorowe Si ze źródła ciekłego do zastosowania w produkcji ciągłej ogniw słonecznych

nr katalogowy: 78829

Ekonomiczny wymóg ciągłego wzrostu efektywności w produkcji ogniw słonecznych implikuje stosowanie procesów produkcji liniowej. Ogniwo słoneczne na bazie krzemu krystalicznego jest przyrządem półprzewodnikowym charakteryzującym się bardzo dużą powierzchnią frontową, wynoszącą 235,9 cm2 dla typowego 6 calowego pojedynczego elementu wytwarzanego przez przemysł fotowoltaiczny. Ponadto wzrost powierzchni ogniwa przy jednoczesnym spadku jego grubości poniżej 150 μm wymusza stosowanie metod produkcji w których płytka bazowa ogniwa jest umieszczona na taśmie transportowej. Najważniejszym etapem procesu technologicznego wytwarzania ogniwa jest formowanie złącza p-n, którego głębokość położenia jak i poziom koncentracji domieszki donorowej ma decydujący wpływ na parametry elektryczne ogniwa. Stosowany przeważnie proces domieszkowania Si typu p ze źródła POC l3 jest zasadniczo bardzo trudny do realizacji w warunkach produkcji liniowej. Wytworzenie emitera ze źródła POC l3 pociąga za sobą konieczność stosowania specjalnych pieców dyfuzyjnych jak i pełnego nadruku pasty Al na tył płytki Si w celu kompensacji domieszki typu n. Procesy liniowe dyfuzji są nieustannie w polu zainteresowania przemysłu fotowoltaicznego [1], jak i ośrodków badawczych [2].Powyższe zagadnienia są źródłem zainteresowania wielu ośrodków badawczych ze względu na możliwości zwiększenia wydajności typowych linii produkcyjnych ogniw słonecznych na bazie krzemu krystalicznego, obniżenia kosztów uruchomienia produkcji ogniw, możliwości domieszkowania cienkich warstw i płytek Si o dużej powierzchni i grubości poniżej 100 μm oraz precyzyjnego kształtowania profilu domieszki, co umożliwia osiągnięcie wyższych wartości współczynnika konwersji fotowoltaicznej [3,4]. Nie jest to całkowicie nowa idea, natomiast jej praktyczne stosowanie nie jest udokumentowane w literaturze a uzyskane wyniki są traktowane jako poufne. Problemy wynikające z zastosowania tej metody to u[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 78829 "Domieszkowanie donorowe S..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2013-8 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2013-8

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma