Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2012 - zeszyt 12

DC measurements method of the thermal resistance of power MOSFETs (Stałoprądowa metoda pomiaru rezystancji termicznej tranzystorów mocy MOS)

nr katalogowy: 73350

Temperature affects electrical properties (characteristics) of semiconductor devices very strongly [1, 2]. Therefore, the estimation of the device thermal resistance describing its ability of heat dissipation at the steady state is of a great importance [3, 4]. According to the definition [3]: the thermal resistance Rth of any semiconductor device is expressed as the quotient of an increase of the device inner (junction) temperature Tj over the ambient one Ta and the device dissipated power Pth, which caused this temperature to increase: (1) The values of the ambient temperature and the dissipated power can be measured in a simple manner. The value of the temperature Tj must be measured at the steady state. With regard to the way the value of the temperature Tj is obtained, one can distinguish two kinds of methods measuring the device thermal resistance. The first are optical (infrared) methods [1, 3], in which the value of the device inner temperature is obtained by measuring infrared radiation energy emitted by the investigated device [5]. The other are electrical methods, in which the information about the device inner temperature results from the measurements of the device temperature-sensitive parameter of the known temperature dependence. The advantage of the optical methods is a possibility of estimating the temperature distribution on the device surface, but then a free access to the device surface is indispensable. Apart from this, the problem is to estimate precisely surface emissivity of the investigated device. The incorrectly estimated value of this parameter can result in the incorrect estimation of the excess of the device inner temperature over the ambient one, which differs from the actual value by even more than 50% [5]. In turn, the advantage of the electrical methods is a possibility of estimating the thermal resistance of both capsulated and uncapsulated devices. As results from [5], the optical methods [...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 73350 "DC measurements method of..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2012-12 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2012-12

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma