Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2012 - zeszyt 9

Charakterystyki DC tranzystorów MOSFET SiC oraz Si pracujących w obszarze silnego przewodzenia, w szerokim zakresie temperatur

nr katalogowy: 70993

Tranzystory MOSFET o wysokich wartościach napięć przebicia oraz dopuszczalnych prądów w kierunku przewodzenia są elementami bardzo atrakcyjnymi dla energoelektroniki. Umożliwiają realizację szybkiego kluczowania oraz mogą pracować z dużymi gęstościami mocy. Cechy te, w połączeniu z wytrzymałością na oddziaływanie wysokich temperatur stanowiłyby doskonałe rozwiązanie dla układów impulsowego przetwarzania mocy. Półprzewodnikiem, który charakteryzuje się możliwościami spełnienia tych wymogów jest węglik krzemu [1-5]. Niniejsza praca poświęcona jest badaniu właściwości tranzystorów MOSFET z węglika krzemu i z krzemu, pracujących w trybie włączenia, czyli w stanie silnego przewodzenia, przy maksymalnym wysterowaniu bramki. Przy takich warunkach zasilania, istotną rolę w kształtowaniu charakterystyk prądowo-napięciowych odgrywa efekt samonagrzewania, który jest również jedną z najistotniejszych przyczyn ograniczeń termicznych w elementach półprzewodnikowych. W pewnych okolicznościach samonagrzewanie może prowadzić do niebezpiecznego efektu thermal runaway, określanego również jako niestabilność termiczna, będąca konsekwencją dodatniego sprzężenia termicznego, gdy straty w elemencie półprzewodnikowym powodują wzrost temperatury powyżej maksymalnej wydajności systemu chłodzącego, a w konsekwencji - zniszczenie elementu. W szczególnym przypadku, efekt thermal-runaway występuje, gdy w wyniku samonagrzewania wzrasta rezystancja elementu, co z kolei prowadzi do zwiększenia wydzielania mocy i do jeszcze większego wzrostu temperatury. Taki model przyjęli autorzy prac [6-8], w których dla konkretnego elementu rezystancyjnego wykonanego z węglika krzemu, dokonano estymacji wartości temperatury wnętrza, przy której element ulegnie zniszczeniu. Jak wykazano w [9-11] na przykładzie diod Schottky’ego SiC, niebezpieczeństwo thermal runaway może wystąpić wyłącznie gdy element pracuje w warunkach zbliżonych do zasilania z idealnego źródła p[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 70993 "Charakterystyki DC tranzy..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2012-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2012-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma