Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2012 - zeszyt 9

Tlenki dielektryczne wytwarzane metodą osadzania warstw atomowych w niskich temperaturach dla zastosowań w elektronice jako izolatory

nr katalogowy: 70983

Omawiane w niniejszej pracy tlenki o wysokiej stałej dielektrycznej (w porównaniu do stałej dielektrycznej dwutlenku krzemu, SiO2 czyli powyżej 4) cieszą się rosnącym zainteresowaniem w mikroelektronice, w szczególności w elektronice przezroczystej [1-8]. Właściwości tych materiałów sprawiły, iż stały się one doskonałą alternatywą dla SiO2 w produkcji nowej generacji układów scalonych w standardzie technologicznym 45 nm. Powodem tej zamiany był niepokojący wzrost prądu upływu przez cienką warstwę tlenku podbramkowego (SiO2), który przekraczał 1 A/cm2 przy 1 V [8]. Graniczna wartość prądu upływu przy wytwarzaniu układów scalonych w technologii CMOS wynosi 1,5*10-2 A/cm2 przy 1 V, natomiast w pamięciach operacyjnych DRAM - 10-7 A/cm2 przy 1 V [8, 10]. Wprowadzenie dielektryków "high-k" do produkcji urządzeń elektronicznych w 2007 roku określa się jako najważniejszą zmianę w technologii tranzystorowej od końca lat sześćdziesiątych i jest jedną z kilku strategii opracowanych w celu umożliwienia dalszej miniaturyzacji elementów elektronicznych, potocznie określaną jako rozszerzenie prawa Moore’a [9]. Rewolucyjny postęp w miniaturyzacji i wprowadzenie do produkcji trzech nowych generacji układów scalonych w standardach 45 nm, 32 nm oraz najnowszym 22 nm, stało się możliwe dzięki wykorzystaniu technologii osadzania cienkich warstw do wytwarzania tlenków izolacyjnych. Metoda ALD została wprowadzona w latach siedemdziesiątych przez dr Tuomo Suntolę w Finlandii celem poprawienia jakości warstw siarczku cynku (ZnS) używanych w wyświetlaczach elektroluminescencyjnych [11]. Technologia ta zapewnia jednorodne pokrycie dużych powierzchni, kontrolowany wzrost w skali nanometrowej, osadzanie warstw w niskiej temperaturze. Wspomniane właściwości techniki osadzania cienkich warstw sprawiają, iż bardzo dobrze nadaje się ona do osadzania przezroczystych, izolujących oraz półprzewodnikowych warstw do produkcji urządzeń elektronicznych. Najn[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 70983 "Tlenki dielektryczne wytw..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2012-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2012-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma