Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2012 - zeszyt 7

Method of temperature fluctuations compensation in the silicon photomultiplier measurement system

nr katalogowy: 69638

Independently of the direction the p-n junction is polarized in, the currents in it are strongly dependent on temperature. In the state of the avalanche breakdown, the increase of the temperature contributes to the more vivid vibrations of the particles of the crystal lattice. The vibrating atom occupies more space and the probability of the collision with an accelerated carrier increases. The collisions occur earlier so the free path is shorter. It means that the carriers are accelerated on shorter path and have smaller kinetic energies. Insufficient energy results in a reduction of the probability of knocking out carriers pairs. Avalanche multiplication becomes weaker and the avalanche current decreases. Silicon Photomultiplier operates in Geiger mode which mean that it is polarized beyond the breakdown voltage. Variation of breakdown voltage especially influence the parameters of SiPM. This voltage depends on temperature. When temperature increase value of the breakdown voltage increase also [1]. This variation leads to fluctuation of the current of SiPM because polarization voltage is constant during measurement. Distance between polarization voltage and the breakdown voltage is changed. To set operating parameters of SiPM on the stable level there is need to control temperature. This article introduce new method for compensating temperature fluctuations. This method is based on controlling distance between breakdown voltage and polarization voltage to set current of the p-n junction on the stable level. If the temperature of the Silicon Photomultiplier is higher than 0K, inside the detector, due to vibrations of the lattice, pairs of the electron-hole carriers are created. It is called the thermal generation of the carriers. The probability of detecting the photon (detecting the absorption of the photon resulting in the generation of avalanche current) is directly proportional to the value of bias voltage of the detector.[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 69638 "Method of temperature flu..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2012-7 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2012-7

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma