Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2012 - zeszyt 7a

Impedance of reverse biased diodes irradiated with krypton ions with energy of 250 MeV

nr katalogowy: 69261

The p+n-junction silicon diodes irradiated with krypton ions with the energy of 250 MeV were studied. The distance  between the pn-junction boundary and calculated maximum in the distribution of the primary vacancies was about 26.4 μm. It was shown that transformations of a complex plane plot of the electric modulus at the increased reverse bias take place due to a change in the impedance ratio ZL/ZJ of the irradiation damaged layer ZL to space charge region ZJ as well as due to changes in the electron population of the energy levels of irradiation-induced defects. Streszczenie. Przebadano diody krzemowe o typu p+n naświetlane jonami kryptonu o energii 250 MeV. Odległość  między granicą złącza p+n i obliczonym maksimum w rozkładzie wakatów pierwotnych wyniosła około 26,4 μm. Wykazano, że przekształcenia zespolonej płaszczyzny modułu elektrycznego przy zwiększonej polaryzacji zaporowej złącza mogą nastąpić pod wpływem zmiany stosunku impedancji ZL/ZJ warstwy zdefektowanej promieniowaniem ZL do impedancji obszarów z ładunkiem przestrzennym ZJ, jak również ze względu na zmiany w koncentracji elektronów na poziomach energetycznych defektów powstałych poprzez promieniowanie. (Impedancja diod spolaryzowanych zaporowo napromieniowanych jonami kryptonu o energii 250 MeV). Keywords: Ion irradiation, p+-n junction diode, impedance. Słowa kluczowe: promieniowanie jonowe, dioda o złączu p+n, impedancja. Introduction Radiation technologies have found a wide use in semiconductor industry. Capacitance methods are most frequently applied for estimation of the semiconductor layer parameters (e.g., dopant concentration and its distribution profile, presence and concentration of the electrically active defects) in studies of the semiconductor barrier structures. They are extensively used to control the technological processes. However, when diodes have a high-resistance base [1, 2] or when the base contains high concentr[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 69261 "Impedance of reverse bias..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2012-7a licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2012-7a

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma