Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2012 - zeszyt 2

Parametry detektorów MSM wykorzystujących heterostruktury GaAsN/GaAs i MQW InGaAsN/GaAs

nr katalogowy: 66152

W ostatnich latach zaobserwowano znaczne zainteresowanie rozrzedzonymi azotkami (GaAsN), zarówno z powodu ich właściwości fizycznych, jak i możliwością wykorzystania badanych warstw ze względu na zakres pracy związany z szerokością przerwy energetycznej o wartości ok. 1 eV przy jednoczesnym dopasowaniu do sieci GaAs. Nawet niewielka ilość atomów azotu w sieci krystalograficznej GaAs powoduje zmniejszenie przerwy energetycznej o około 150 meV na 1% azotu dodawanego do związku GaAs. Jednocześnie dodanie atomów azotu zmienia stałą sieci krystalograficznej. Pojawiają się artykuły opisujące technologię i parametry różnego rodzaju przyrządów optoelektronicznych wykorzystujących struktury epitaksjalne rozcieńczonych azotków na przykład lasery [1], heterofototranzystory [2], rozmaite typy fotodetektorów [3, 4] i ogniwa słoneczne [5]. W tej pracy badany jest wpływ parametrów materiałowych na fotoodpowiedź detektorów MSM. Podstawowym problemem związanym z jakością fotodetektorów MSM jest powiązanie jego parametrów z wysokością bariery Schottky’ego kontaktów. W sytuacji, gdy bariera Schottky’ego jest niska, wzrasta prąd ciemny, co znacząco zmniejsza czułość fotodetektora. W pracy badano wartość prądu ciemnego i oceniano, czy jest ona dostatecznie niska, aby fotoodpowiedź MSM na warstwach GaAsN/GaAs i wielostudniach kwantowych (MQW) InGaAsN/GaAs była znacząco wyższa dla fal powyżej krawędzi absorbcji dla warstw GaAs czyli 870 nm. Technologia fotodetektorów MSM Badane fotodetektory MSM wykonane zostały na heterostrukturach rozcieńczonych azotków typu GaAsN oraz MQW InGaAsN/ GaAs wytworzonych w technologii MOCVD. Epitaksja MOCVD Heterostruktury wytworzono na półizolacyjnych podłożach Ga[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 66152 "Parametry detektorów MSM ..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2012-2 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2012-2

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma