Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2011 - zeszyt 12a

Research on the Mechanism of Pin-to-Pin ESD to SCB Initiators

nr katalogowy: 64256

By ESD experiment, SEM-EDXA and firing experiment, the electrostatic-response characteristic of SCB was studied and the electrical explosion performance after ESD was measured. Results show that surface-damage of bridge is not obviously visible when lower than 25kV, but part of samples coated with explosive fire; the V-type angles start to be damaged at 25kV. After ESD, the function time and firing energy required decrease significantly. 25kV is the critical damage-voltage of the bridge. When less than 25kV, the electrical energy can only make the polysilicon melting and at 25kV, the temperature reaches the boiling point of silicon to generate plasma. Streszczenie. Analizowano odpowiedź elektrostatyczną i parametry inicjatora eksplozji. Uszkodzenia mostka są nie zawsze widoczne jeśli napięcie jest poniżej 25 kV. Dlatego stwierdzono że napięcie 25 kV jest krytyczne, poniżej powoduje topienie polisilikonu, ale powyżej skutkuje tworzeniem się plazmy. (Badania mechanizmu wyładowania elektrostatycznego w inicjatorach półprzewodnikowych SCB) Keywords: initiator; semiconductor bridge; electrostatic discharge; SEM-EDXA Słowa kluczowe: wyładowanie elektrostatyczne ESB, inicjator wyładowania. Introduction The safety of energetic materials is a research hotspot in recent years. Many scholars are devoting themselves to studying the appropriate description of the response in the complex electromagnetic conditions. The initiating explosive devices are the most sensitive components in weapons and ammunition. Therefore, because of the electrostatic, electric explosive devices(EED) are often failure or accidental detonation in use. And the human-body electrostatic is the most important, frequent and dangerous factor in the electrostatic hazards of EED. Semiconductor bridge (SCB) initiator is a transducer. Under the effect of high electrical energy, the power transforms into thermal power. Then the doped polysilicon layer vaporises and generates high[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 64256 "Research on the Mechanism..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2011-12a licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2011-12a

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma