Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 11

Zastosowania pochodnych ułamkowych w badaniach optycznych warstw półprzewodników modyfikowanych implantacją jonową

nr katalogowy: 64061

Implantacja jonów jest znaną metodą domieszkowania warstw półprzewodników [1]. Dzięki niej możliwa jest zmiana właściwości fizycznych oraz chemicznych warstw przypowierzchniowych materiałów [1, 2]. Najbardziej popularne jest domieszkowanie półprzewodnika dla uzyskania określonego typu przewodnictwa przy produkcji urządzeń elektronicznych [3]. W ostatnich latach wykorzystuje się również metodę implantacji jonowej do wprowadzania domieszki aktywnej optycznie [4]. Wyżej wymienione kierunki badań są rozwijane od lat siedemdziesiątych ubiegłego wieku. W ostatnich pięciu latach implantacja jonowa była stosowana między innymi do syntezy półprzewodnikowych kropek kwantowych [5], sterowania ferromagnetyzmem w półprzewodnikach [6, 7]. Ponadto, przy jej pomocy ulepszać można właściwości powłok metalicznych [8]. Szczególnie ugruntowane są badania z zakresu optoelektroniki w celu poznania własności optycznych zaimplantowanych warstw. Można wymienić tutaj pracę Dinga i współpracowników [9], w której autorzy zaprezentowali metodę analizy funkcji dielektrycznej SiO2 zawierającego nanokrystality Si utworzone za pomocą implantacji jonowej. Ważne z punktu widzenia aplikacyjnego są pomiary poimplantacyjne warstw, w szczególności technikami optycznymi, których zaletą jest ich nieniszczący charakter oraz szybkość pomiarów. Uznanym sposobem badania optycznych własności cienkich warstw jest elipsometria spektralna (SE) [10]. Analiza danych elipsometrycznych może być wykonana za pomocą metody pochodnych ułamkowych (FDS), która posłuży nam do dokładnego określenia energii punktów krytycznych (CP) strefy Brillouina implantowanych materiałów. W pomiarach poimplantacyjnych bardzo często stosuje się SE oraz technikę wstecznego rozpraszania Rutherforda RBS. Przykładowo, w pracy [11] badano wpływ dawki 3×1015 cm-2 jonów In+ na zmiany własności optycznych materiału domieszkowanego oraz warstw tlenku naturalnego pokrywającego GaAs. Wpływ procesu implantacji m[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 64061 "Zastosowania pochodnych u..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-11 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2011-11

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma