Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 9

Wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky’ego 4H-SiC

nr katalogowy: 62684

Węglik krzemu (SiC) ma doskonałe fizyczne, chemiczne oraz elektroniczne właściwości, takie jak: szeroka przerwa energetyczna, duża prędkość unoszenia nośników, wysokie napięcie przebicia pola elektrycznego, wysoka przewodność termiczna oraz wysoka odporność na promieniowanie. Dzięki tak korzystnym właściwościom, SiC jest szeroko stosowany w przyrządach pracujących w warunkach wysokiej częstotliwości, dużej mocy oraz wysokiej temperatury. Jednak wytwarzanie przyrządów opartych na SiC napotyka czasami trudności z powodu dużego prądu upływu. W dostępnej literaturze podano wiele wyjaśnień tego zjawiska, wśród nich można znaleźć teorię o wpływie defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery Schottky’ego [1-2] i pośrednio charakterystyki I-V. W pracach tych przypuszcza się, że poziom Fermiego jest lokalnie "przyszpilony" przez skupiska defektów, co powoduje powstanie miejscowych obszarów o obniżonej wysokości bariery. Zaobserwowano również [2], że prąd wsteczny zwiększał się, a wysokość bariery zmniejszała się z rosnącą koncentracją defektów. Wśród defektów odpowiedzialnych za to zjawisko, wskazano [1] na dobrze znaną pułapkę Z1/Z2 oraz niezidentyfikowaną pułapkę z pikem katodoluminescencji (CL) 2,2 eV powyżej pasma walencyjnego. W pracy zaprezentowano wyniki charakteryzacji defektów przy pomocy niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów (DLTS) oraz wyniki symulacji wpływu koncentracji dominującego defektu na wysokość bariery Schottky’ego. W szczególności wyznaczono koncentrację tego defektu potrzebną do "przyszpilenia" poziomu Fermiego. Eksperyment W trakcie badań wykorzystano komercyjne struktury węglika krzemu 4H SiC typu n, otrzymane techniką CVD (Chemical Vapour Deposition) w firmie CREE. Struktury wykonano na podłożu o grubości 370 μm i rezystywności 0,015…0,028 Ωcm. Na podłożu osadzono kolejno warstwy epitaksjalne o grubości 0,5 μm i koncentracji nośników 1018 cm-3 oraz grubośc[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 62684 "Wpływ defektów o głębokic..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2011-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma