Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 9

Mechanizm wzrostu warstw GaN techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu

nr katalogowy: 62678

Rozważania teoretyczne [1], jak i duża liczba prac doświadczalnych [2] pokazują, że przy wzroście GaN techniką epitaksji z wiązek molekularnych MBE wykorzystującą plazmowe źródło azotu (Plasma-Assisted MBE - PAMBE) najlepsze są warunki, w których powierzchnia rosnącej warstwy pokryta jest cienką (około 2 monowarstw) warstwą ciekłego galu. Obecność dwuwarstwy galowej zwiększa ruchliwość powierzchniową azotu, co ułatwia dwuwymiarowy wzrost i pozwala otrzymywać warstwy o najlepszych właściwościach strukturalnych, optycznych i elektrycznych. Jednakże zestaw warunków zapewniających obecność dwuwarstwy galowej silnie zależy od konfiguracji doświadczalnej. Dlatego też warunki takie muszą być określone indywidualnie dla każdego układu wzrostowego. Celem niniejszej pracy jest przedstawienie metody określenia optymalnych warunków wzrostu GaN techniką PAMBE. Wykorzystuje ona pomiar intensywności wiązki laserowej odbitej od kryształu. Pozwala to określić ilość galu na jego powierzchni w trakcie wzrostu [3]. Przedstawiono też sposób kontroli parametrów pracy azotowego źródła plazmowego. Jest to istotne, gdyż przy wzroście warstw w warunkach bogatych w gal prędkość wzrostu jest proporcjonalna do strumienia azotu. W końcowej części pracy przedstawione zostaną typowe właściwości warstw GaN wytwarzanych w naszym laboratorium w warunkach uznanych za optymalne. Wyniki doświadczalne i ich dyskusja Wzrost warstw GaN wykonano przy użyciu układu MBE Riber Compact 21T wyposażonego w plazmowe źródło azotu oraz standardowe komórki efuzyjne Al, Ga, In, Si i Mg. Do obserwacji in situ procesu wzrostu wykorzystano pirometr optyczny służący do pomiaru temperatury podłoża oraz RHEED i reflektometrię laserową umożliwiającą obserwowanie stanu powierzchni rosnącej warstwy. Kontrola zmian intensywności wiązki laserowej odbitej od powierzchni próbki posłużyła również jako metoda pomiaru zachowania warstwy galu na powierzchni rosnącej warstwy GaN. Rysunek 1a p[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 62678 "Mechanizm wzrostu warstw ..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2011-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma