Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2011 - zeszyt 8

Bonding of silicon and crystal quartz wafers at the minimized residual stresses

nr katalogowy: 61656

In this work, strong low-temperature bonding of silicon and crystalline quartz wafers, effecting in mechanical strength, which is close to initial materials has been described. High bonding strength is associated with minimization of the residual stresses, optimization of surface activation, and application of an electric field during annealing. The bonding has a wide application field because both, silicon and crystalline quartz are key materials for many devices including generators, high frequency filters, gyroscopes, microbalances of high stability, etc. Streszczenie- W pracy przedstawiono proces uzyskiwania silnych połączeń spajalnych płytek kwarcowych i silikonowych w niskiej temperaturze. Mechaniczna wytrzymałość połączeń jest bliska wytrzymałości materiałów wyjściowych. Wysoka wytrzymałość połączenia wynika z minimalizacji naprężeń własnych materiału, z optymalnego procesu aktywacji powierzchni płytek oraz z zastosowania pola elektrycznego podczas procesu wygrzewania. Polaczenia tego typu mogą być szeroko stosowane gdyż zarówno kwarc krystaliczny jak i silikon wykorzystywany jest do wyrobu szeregu urządzeń; w tym, w mikro i nanotechnologiach. (Proces uzyskiwania silnych połączeń spajalnych płytek kwarcowych i silikonowych w niskiej temperaturze) Keywords: Bonding, crystal quartz, silicon, residual stress, plasma surface processing Keywords: Połączenia spajalne , kwarc krystaliczny, silicon, naprężenia własne, plazmowa obróbka powierzchni Introduction Direct bonding of silicon and quartz wafers can be applied to the fabrication of advanced microelectromechanical and optical devices. Conventional bonding technology of identical materials, such as quartzquartz, silicon-silicon, etc., is well known and typically involves an annealing at elevated temperature. High temperature increases the mobility of atoms across the interface that largely determines a bonding strength. When bonded structure consists of materials with different the[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 61656 "Bonding of silicon and cr..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2011-8 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2011-8

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma