Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2011 - zeszyt 3

Thermal analysis of the half-bridge IGBT power module with analytical, numerical and experimental methods

nr katalogowy: 58540

This paper describes a thermal analysis of the half-bridge IGBT power module, which is mounted to the heat sink. Power dissipation of semiconductor devices gradually heats the power module up to the certain temperature. The main objective of this research is to calculate and verify the temperature rise of the system for different cases of power dissipation and forced cooling conditions. Temperature rise in the case when power dissipation achieves its maximum can be predicted. Several solutions are proposed: analytical, numerical (finite element methods) and experimental. Streszczenie. Artykuł opisuje analizę cieplną półmostkowych modułów mocy IGBT zamontowanych do urządzeń grzejnych. Dyssypacja mocy urządzeń półprzewodnikowych stopniowo nagrzewa moduł mocy do pewnej temperatury. Głównym Selene tych badań jest obliczenie i weryfikacja wzrostu temperatury różnych systemów dyssypacji energii i wymuszonych warunków chłodzenia. Wzrost temperatury w przypadku kiedy dyssypacja energii osiąga maksimum może być przewidziany. Zaproponowano analityczne i numeryczne rozwiązania problemu. (Analiza cieplna półmostkowego modułu mocy IGBT metodami analitycznymi, numerycznymi i doświadczalnymi) Keywords: finite element methods, heat equation, thermal analysis, power module. Słowa kluczowe: metoda elementów skończonych, równanie cieplne, analiza termiczna, moduł mocy Introduction to the power module This paper describes a thermal analysis of the halfbridge IGBT power module. Power modules are widely used in all branches of industry. They are usually fixed to the heat sink, which provides the better cooling of the device. Heat sink is often made of aluminium and it is attached to the bottom side of the power module. The structure of the IGBT module and the material layer structure are shown in Fig. 1. It is actually a half-bridge module, which contains two IGBT transistors and two hybrid diodes. The diode and transistor chips are soldered to the isolati[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 58540 "Thermal analysis of the h..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2011-3 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2011-3

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma