Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 3

Etching of Si(100) and (110) substrates in KOH solutions saturated and son-saturated with isopropyl alcohol

nr katalogowy: 58387

Anisotropic etching of silicon is commonly used to fabricate spatial MEMS and MOEMS structures applied in micromechanics and optoelectronics. The most popular are KOH and TMAH solutions, both pure as well as containing different alcohol or surfactant additives. The additives to the basic solutions change the etching anisotropy and cause some reduction of etch rates of several crystallographic planes, like (110), (331) and (221) what is used to reduce the convex corners undercut. The solution of KOH with isopropyl alcohol (IPA) is currently the most frequently used in silicon anisotropic etching. The process is usually carried out in the solutions saturated with IPA since it guarantees stability of the solution composition and the best morphology of (100) plane which is the most commonly used in micromechanical devices [1]. In the paper, the results of etching in KOH solutions with IPA content below saturation are compared with the results of etching in KOH solutions saturated with IPA. The analysis of the etching process in these solutions may be useful for explaining the etching mechanism. Etching in KOH solutions saturated with isopropyl alcohol The etching experiments were carried out in a thermostated vessel at the temperature of 75ºC, with the use of mechanical stirring. The etching rates of (100) and (110) planes obtained in KOH and KOH saturated with IPA solutions are shown in Figs. 1 and 2. The morphologies of the surfaces obtained after the etching are shown in Figs. 3 and 4. The obtained results show that in pure KOH solutions with the concentration exceeding 7 mol, smooth Si (100) surfaces, etched with the Fig. 1. Etch rates of the silicon substrates Rys. 1. Szybkości trawienia podłoży 2 4 6 8 10 12 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 etch rate [um/min] KOH concentration [M] (100) KOH (100) KOH+IPA 2 4 6 8 10 12 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 etch rate [um/min] KOH concentration [M] (110) [...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 58387 "Etching of Si(100) and (1..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-3 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2011-3

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma