Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2010 - zeszyt 11

Nonlinear compact thermal model of SiC power semiconductor devices

nr katalogowy: 55990

Abstraction of the heat dissipated in semiconductor devices depends generally on three phenomena: conduction, convection and radiation [1, 2]. One of these mechanisms can be dominant depending on the inner temperature Tj of the chip and on the difference of the temperatures between the device case and the surrounding [1]. In modeling of the device cooling the microscopic or macroscopic thermal models are used [2, 3]. In the microscopic models the space distribution of the temperature in the chip is considered. Unfortunately, these models are complex, therefore they need a long time of calculations and practically they can be only used for an analysis of thermal properties of the chip of the discrete semiconductor devices [4, 5]. On the other hand, the compact thermal models are willingly used in the analysis of electronic circuits [6, 7, 8]. The compact thermal models describe the difference between the device inner temperature (corresponding to one or a few selected points) and the ambient temperature Ta generally expressed by the convolution of the thermal power pth dissipated in the device and the derivative of the transient thermal impedance Z(t) of the device [9]. In the static (d.c.) conditions the difference of the temperatures Tj and Ta is equal to the product of the power pth (the constant value) and the thermal resistance Rth. The parameter Rth corresponds to the value of Z(t) in the thermal steady-state. The device compact thermal model instead of the convolution integral is very often formulated as an equivalent electrical circuit of the form of the Cauer [10] or the Foster [3, 4, 6, 7, 11] networks representing the device transient thermal impedance, excited by the current source of the efficiency corresponding to the power dissipated in the device [5, 7, 10]. As it results from, e.g. [8, 10], both the network constructions of the thermal model (Fig. 1) are fully equivalent from the point of view of the termina[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 55990 "Nonlinear compact thermal..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2010-11 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2010-11

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma