Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2010 - zeszyt 10

Problemy epitaksji antymonków grupy III-V

nr katalogowy: 54992

Przyrządy optyczne wykorzystujące związki półprzewodnikowe z antymonem są szeroko stosowane jako detektory i emitery podczerwieni. Jednakże poważne trudności napotykane podczas krystalizacji oraz processingu struktur przyrządów opartych na tych związkach znacząco spowalniają postęp w tej dziedzinie. Niejednoznaczność określania temperatury na powierzchni rosnącego kryształu w metodzie epitaksji z wiązek molekularnych (MBE) to kluczowe zagadnienie, do którego należy się odnieść przed przystąpieniem do właściwego procesu krystalizacji struktur. W prezentowanej pracy szczególną uwagę zwrócono na aspekty wzrostu warstw GaSb i związków pochodnych, które są związane z wytwarzaniem heterostruktury detektora. Wzrost 2D warstw GaSb Podczas epitaksji GaSb za pomocą MBE zwrócono szczególną uwagę na sposób desorpcji tlenku z powierzchni podłoża [1]. Istotne jest, że desorpcja tlenku zachodzi bez stabilizacji powierzchni cząstkami Sb, a różnica temperatur, przy których zachodzi desorpcja i degradacja powierzchni wynosi 5ºC. Jest to krytyczny moment w procesie technologii. Na rysunku 1 zamieszczono obrazy powierzchni próbek wykrystalizowanych w różnych warunkach. Optymalizacja parametrów procesu epitaksjalnego skutkuje dwuwymiarowym wzrostem kryształu, o czym świadczy obecność tarasów na powierzchni kryształu o wysokości 1 ML. Trudnym problemem, z którym stykamy się podczas procesów wzrostu warstw antymonkowych, jest samoistne wbudowywanie się As do materiału [2]. Ciśnienie obecne w komorze reakcyjnej jest w zasadniczej mierze uwarunkowane cząstkami As. Po każdorazowym otwarciu zaworu arsenowej komórki efuzyjnej, poprzedzającym proces wzrostu warstw GaSb, zawartość As w tych warstwach jest większa. Na rysunku 2 zamie[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 54992 "Problemy epitaksji antymo..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2010-10 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2010-10

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma