Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2010 - zeszyt 7

Modeling of the processes of low-dimensional structures formation on semiconductors surface by scanning laser radiation

nr katalogowy: 53390

The analysis of results of experiment in the formation of periodic structures on GaAs surface by powerful laser radiation was conducted. The physic model of the process of structures formation was proposed. The numerical calculations of heating and melting processes of near-surface region was conducted. Streszczenie. W pracy przeprowadzono analizę wyników eksperymentu obejmującego tworzenie struktur periodycznych na powierzchni GaAs za pomocą silnej radiacji laserowej. Zaproponowano fizyczny model procesu formowania struktur. Przedstawiono obliczenia numeryczne procesów ogrzewania i topienia obszarów przypowierzchniowych. (Tworzenie struktur periodycznych na powierzchni GaAs za pomocą silnej radiacji laserowej) Keywords: low-dimensional structures formation, laser irradiation, GaAs. Słowa kluczowe: tworzenie struktur nisko-wymiarowych, naświetlanie laserowe, GaAs. Introduction It was found by experiment that formation of periodic structures on GaAs surface is possible under the influence of powerful laser radiation[1] High-resistance semi-insulating monocrystalline GaAs:Cr was used in the experiments. The second harmonic of a pulsed YAG:Nd laser (=0,532 μm, pulse duration 10-15ns, peak power P = 1MW) was chosen to be the sours of light. The scanning method was used for irradiation of samples with step equal to 2 μm. Diameter of the laser beam was 3 mm. The experiment was carried out under the 1 atm atmospheric pressure of 1 atm at T=20oC and humidity of 60%. The experiment resulted in formation of micronills with base diameter of about 500 nm and top diameter of about 6nm (fig. 1). Fig. 1. AFM 3D image of GaAs surface after irradiation by YAG:Nd laser at I=5.5 MW/cm2 Semiconductor is being unevenly heated up when absorbing radiation. As soon as irradiation conditions are sufficient for evaporation, cooling of the semiconductor surface takes place and as consequence formation of the solid phase occurs [2]. S[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 53390 "Modeling of the processes..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2010-7 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2010-7

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma