Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2010 - zeszyt 7

Ujawnienie historii radiacyjnej napromieniowanego elektronami krzemu otrzymanego metodą Czochralskiego poprzez po-radiacyjną obróbkę termiczną

nr katalogowy: 53227

Domieszkowany borem krzem otrzymany metodą Czochralskiego (Cz-Si), o orientacji (001) i o koncentracji domieszki tlenowej ok. 9x1017 cm-3, został napromieniowany elektronami o energii 40 keV i dawkach do 2.5x1016 cm-2. W wyniku wygrzewania w temperaturze do 1400 K, także pod wysokim ciśnieniem (do 1,2 GPa) argonu, ulega wydatnej zmianie koncentracja elektronów przewodnictwa oraz struktura defektowa Cz-Si. Podano wyjaśnienie tego zjawiska i zaproponowano jego wykorzystanie do ujawnienia napromieniowania krzemu elektronami. Abstract. Boron doped (001) orientated Czochralski grown silicon (Cz-Si) with concentration of oxygen interstitials of about 9x1017 cm-3, was irradiated with electrons (energy 40 keV, doses up to 2.5x1016 cm-2). In effect of annealing at 1400 K, also under high hydrostatic Ar pressure, up to 1.2 GPa, concentration of carriers in the conduction band and defect structure of Cz-Si are changing markedly. Explanation of this effect is proposed and its application for revealing the electron irradiation history of Cz-Si is suggested. (Revealing the electron irradiation history of Czochralski silicon by the post-irradiation thermal treatment). Słowa kluczowe: Cz-Si, napromieniowanie, elektron, obróbka wysokotemperaturowo-ciśnieniowa. Keywords: Cz-Si, irradiation, electron, high temperature-pressure treatment. Wstęp Napromieniowanie krzemu otrzymanego metodą Czochralskiego (Cz-Si) , zawsze zawierającego domieszkę tlenową (jej zawartość, zazwyczaj w położeniach międzywęzłowych, Oi, może sięgać 1,5x1018 cm-3) neutronami, elektronami czy promieniowaniem γ o dostatecznie wysokiej energii (E) powoduje generację międzywęźli krzemowych (Sii), luk (V) oraz kompleksów luka-tlen, takich jak VxOy. Defekty sieci krystalicznej, w tym takie jak VxOy, działają w temperaturze podwyższonej (HT) jako centra zarodkowania skupisk (/) wytrąceń tlenowych na bazie Oi oraz innych defektów strukturalnych. Wysokie ciśnienie hydrostatyczne atmosf[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 53227 "Ujawnienie historii radia..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2010-7 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2010-7

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma