Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2010 - zeszyt 4

Modelowanie kinetyki procesu utleniania termicznego węglika krzemu

nr katalogowy: 51408

Klasyczna technologia krzemowa ma pewne ograniczenia, które znacznie redukują możliwości jej zastosowania w przyrządach dużej mocy, pracujących w wysokich temperaturach i przy wysokich napięciach, co wynika przede wszystkim z właściwości elektrofizycznych krzemu. Jednym z fundamentalnych ograniczeń jest wzrost koncentracji samoistnej nośników wraz ze wzrostem temperatury przyrządu. Bezpośredni wpływ na to zjawisko ma szerokość przerwy zabronionej, charakterystycznej dla danego materiału. Od wielu lat bada się materiały o dużej szerokości przerwy zabronionej, które mają znacznie lepsze właściwości (np. termiczne) w wymienionych zastosowaniach niż krzem. Materiałem, który rokuje największe nadzieje na rozwiązanie tych problemów, jest węglik krzemu (SiC). Materiał charakteryzuje się dużą szerokością przerwy zabronionej (2,4…3,26 eV w zależności od politypu [1]), co umożliwia pracę przyrządów półprzewodnikowych w wysokich temperaturach, nawet do 800°C [2], wysokim krytycznym polem elektrycznym, dużą przewodnością cieplną oraz wysoką maksymalną prędkością unoszenia nośników. Ponadto materiał ten ma istotną przewagę nad innymi materiałami o szerokiej przerwie zabronionej - jako jedyny daje możliwość wytwarzania naturalnego dielektryka SiO2 w procesie utleniania termicznego. To właśnie ta cecha wywołała duże zainteresowanie węglikiem krzemu, ponieważ proces utleniania termicznego jest dobrze opanowany w technologii krzemowej. Możliwość wytworzenia dobrej jakości dielektryka jest krytyczna z punktu widzenia rozwoju przyrządów MIS (metal/dielektryk/półprzewodnik). W ostatniej dekadzie duży wysiłek i nakłady włożono w próbę wytworzenia tranzystora mocy MOSFET na węgliku krzemu z powodu jego potencjalnie znacznie lepszych właściwości w porównaniu z tranzystorem krzemowym, szczególnie w zastosowaniach związanych z szybkim przełączaniem w układach mocy przy ograniczonych stratach. Jednakże współcześnie otrzymywane tranzystory MO[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 51408 "Modelowanie kinetyki proc..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2010-4 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2010-4

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma