Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 2

Ultra-płytka implantacja fluoru z plazmy w.cz. jako metoda poprawy właściwości elektro-fizycznych struktur MIS z dielektrykami bramkowymi wytwarzanymi metodą PECVD

nr katalogowy: 58263

Zalecane przez ITRS (z ang. International Technology Roadmap for Semiconductors) zmniejszanie wymiaru charakterystycznego przyrządów półprzewodnikowych stymuluje ciągły proces wprowadzania nowych rozwiązań materiałowo-konstrukcyjnych do technologii kolejnych generacji układów scalonych [1]. Jedną z przełomowych zmian w ostatnich latach było całkowite zastąpienie termicznego tlenku krzemu (SiO2) (właściwie dwutlenku krzemu, ale w żargonie technologicznym mówi się po prostu - tlenek krzemu), używanego dotychczas w funkcji dielektryka bramkowego w najbardziej zaawansowanych układach CMOS, materiałem dielektrycznym o wysokiej wartości przenikalności elektrycznej, tzw. high-k dielectric [2]. Wciąż trwają prace zmierzające do poprawy niezawodności i powtarzalności technologii wytwarzania warstw izolacyjnych, które miałyby służyć jako dielektryki bramkowe w strukturach MOS. Jedną z metod jest wprowadzanie jonów fluoru w obszar bramki [3, 4]. Wykazano, że wprowadzenie fluoru w obszar bramkowy powoduje poprawę szeregu parametrów elektro-fizycznych struktur półprzewodnikowych, m.in. redukcję niestabilności napięcia progowego [5], odporności na radiację [6], czy zmniejszenie generacji pułapek powierzchniowych w trakcie lawinowego wstrzykiwania dziur [7]. Do tej pory zaproponowano szereg metod implantacji jonów fluoru do obszaru półprzewodnika. Do metod tych możElektronika 2/2011 21 na zaliczyć m.in. klasyczną implantację jonów [8], osadzanie z fazy ciekłej LPD (z ang. Liquid Phase Deposition) [9], czy utlenianie w atmosferze zawierającej tlen (O2) i trójfluorek azotu (NF3) [10]. Każda z technologii posiada jednak swoje ograniczenia technologiczno-konstrukcyjne. Proces klasycznej implantacji wprowadza znaczne uszkodzenia strukturalne oraz radiacyjne powierzchni półprzewodnika i nie pozwala, z uwagi na zbyt duże energię jonów dostępne w tego typu urządzeniach, na powtarzalne implantowanie jonów na bardzo płytkie głębokości. Z kolei w t[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 41425 "Fluorowane gazy cieplarni..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


CHŁODNICTWO - e-zeszyt (pdf) 2009-1-2 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

CHŁODNICTWO - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

252.00 zł

CHŁODNICTWO - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
CHŁODNICTWO - papierowa prenumerata roczna	360.00 zł brutto 333.33 zł netto 26.67 zł VAT (stawka VAT 8%)
CHŁODNICTWO - pakowanie i wysyłka	21.00 zł brutto 17.07 zł netto 3.93 zł VAT (stawka VAT 23%)

381.00 zł

CHŁODNICTWO - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
CHŁODNICTWO - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	432.00 zł brutto 400.00 zł netto 32.00 zł VAT (stawka VAT 8%)

432.00 zł

Zeszyt

2011-2

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma