Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2024 - zeszyt 12

Metody wykrywania centrów defektowych w materiałach półprzewodnikowych

Methods of detecting defect centers in semicondu ctor mater

10.15199/13.2024.12.6

nr katalogowy: 152205
10.15199/13.2024.12.6

Streszczenie

Występujące w materiale półprzewodnikowym centra defektowe i ich właściwości odgrywają znaczącą rolę w kształtowaniu właściwości i parametrów wykonanych z nich urządzeń elektronicznych. W artykule przedstawiono metody wykrywania centrów defektowych w materiałach półprzewodnikowych. Omówiono zasadę ich działania i jakiego rodzaju próbki są badane daną metodą.

Abstract

The defect centers and their properties in the semiconductor material play a significant role in shaping the properties and parameters of electronic devices made of them. The article presents methods for detecting defect centers in semiconductor materials. The principle of their operation and what types of samples are tested by a given method are discussed.

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] Kamiński P., et al., First results on properties and concentrations of radiation defect centres in nitrogen-enriched, high-resistivity silicon, 25th RD50 workshop, CERN, 2014.
[2] Kaczmarek W., Suproniuk M., Piwowarski K., Perka B., Paziewski P., Application of nonlinear regression in the analysis of relaxation photocurrent waveforms, Metrology and Measurements Systems, 30 (2023), No. 4, 605-616.
[3] Suproniuk M., Kaminski P., Miczuga M., Pawlowski M., Longeaud C., Kleider J., Inteligentny system diagnostyczny do badania półprzewodników wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS, Przegląd Elektrotechniczny, 86 (2009), 93–98.
[4] Suproniuk M., Kaminski P., Kozlowski R., Zelazko J., Kwastarz M., Pawlowski M., Modelowanie wpływu koncentracji centrów defektowych na rezystywność monokryształów krzemu, Przegląd Elektrotechniczny, 90 (2014), 226–229.
[5] Górecki P., Górecki K., The analysis of accuracy of selected methods of measuring the thermal resistance of IGBTs, Metrology and Measurement Systems, 22 (2015), No. 3, 455–464.
[6] https://rd50.web.cern.ch/1st-workshop/talks/1C-RD50-1- Pawel-Kaminski.pdf
[7] Brasil M. J. S. P., Motisuke P., Deep Center Characterization by Photo-induced Transient Spectroscopy, Journal of Applied Physics, 68 (1990), No. 7, 3370-376.

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA- e-publikacja (pdf) z zeszytu 2024-12 , nr katalogowy 152205 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA- e-zeszyt (pdf) 2024-12 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	47.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2024-12

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma