Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
ATEST - OCHRONA PRACY
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AURA
AUTO MOTO SERWIS
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
GAZETA CUKROWNICZA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
ODZIEŻ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
Menu
Menu
Menu
Prenumerata
Prenumerata
Publikacje
Publikacje
Drukarnia
Drukarnia
Kolportaż
Kolportaż
Reklama
Reklama
O nas
O nas
ui-button
Twój Koszyk
Twój koszyk jest pusty.
Niezalogowany
Niezalogowany
Zaloguj się
Zarejestruj się
Reset hasła
Czasopismo
|
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
|
Rocznik 2024 - zeszyt 7
Design and Implementation of 6T SRAM Circuitry System using FINFETs
Projekt i wdrożenie układu obwodów 6T SRAM z wykorzystaniem FINFET
10.15199/48.2024.07.18
Panduranga Vemula
Rudra Sankar Dhar
nr katalogowy: 149519
10.15199/48.2024.07.18
Streszczenie
In the realm of sophisticated VLSI system design, minimizing overall energy dissipation and instantaneous power consumption has emerged as a critical area of focus in recent years. SRAM, with its notable characteristics of high data transfer rates, low power consumption, low supply voltage, and elimination of upgrade requirements, has become the prevalent choice for microprocessor built-in cache memory, game software, computers, and workstations. Consequently, its widespread adoption in portable handheld devices is evident. Adiabatic logic emerges as a promising approach to enhance energy recovery capacity and curtail power dissipation in these circuits, & it allows VLSI circuits to recycle utilised power. In the Adiabatic SRAM good high degree of power reduction is observed. By applying the aforementioned technique same SRAM is investigated by varying technology. In this study, the power values of adiabatic SRAM cells & standard SRAM cells are compared. In contrast to the conventional SRAM cell which is 6T CMOS type, adiabatic logic exhibits superior power and energy efficiency. Leveraging the Cadence® EDA environment, the SRAM cell was meticulously designed, followed by a comprehensive assessment of power and energy consumption across conventional 90nm and 45nm technologies, alongside adiabatic logic in 45nm technology.
Abstract
W dziedzinie wyrafinowanych projektów systemów VLSI minimalizacja całkowitego rozpraszania energii i chwilowego zużycia energii stała się w ostatnich latach kluczowym obszarem zainteresowania. SRAM, dzięki swoim godnym uwagi cechom, takim jak wysokie szybkości przesyłania danych, niskie zużycie energii, niskie napięcie zasilania i eliminacja wymagań dotyczących aktualizacji, stała się powszechnym wyborem w przypadku wbudowanej pamięci podręcznej mikroprocesora, oprogramowania do gier, komputerów i stacji roboczych. W związku z tym oczywiste jest jego powszechne zastosowanie w przenośnych urządzeniach przenośnych. Logika adiabatyczna okazuje się obiecującym podejściem do zwiększania zdolności odzyskiwania energii i ograniczania jej rozpraszania w tych obwodach, a także umożliwia obwodom VLSI recykling wykorzystanej mocy. W adiabatycznej pamięci SRAM obserwuje się dobry, wysoki stopień redukcji mocy. Stosując wspomnianą technikę, bada się tę samą pamięć SRAM przy użyciu różnych technologii. W tym badaniu porównano wartości mocy adiabatycznych komórek SRAM i standardowych komórek SRAM. W przeciwieństwie do konwencjonalnych ogniw SRAM typu 6T CMOS, logika adiabatyczna charakteryzuje się wyższą mocą i efektywnością energetyczną. Wykorzystując środowisko Cadence® EDA, szczegółowo zaprojektowano ogniwo SRAM, po czym przeprowadzono kompleksową ocenę mocy i zużycia energii w konwencjonalnych technologiach 90 nm i 45 nm, wraz z logiką adiabatyczną w technologii 45 nm.
Słowa kluczowe
VLSI
SRAM(Static Random Access Memory)
Adiabatic Logic
CMOS
Power consumption
Sense amplifier
Keywords
VLSI
SRAM(Static Random Access Memory)
Adiabatic Logic
CMOS
Power consumption
Sense amplifier
Bibliografia
[1] Shreelakshmi, Sendamarai P “Enhancement of Design Quality for an 8-bit ALU” ABHIYANTRIKI an international journal of engineering & technology (AIJET) Vol. 3, No. 5,May 2016. [2] NahidRahman, B. P. Singh “Design and Verification of Low Power SRAM using 8T SRAM Cell Approach”,an International Journal of Computer Applications.Volume 67,No.18, April 2013. [3] T.Paridhi Athe,S.Dasgupta,”A Comparative Study of 6T,8T and 9T Decanano SRAM cell” 2009 IEEE Symposium on Industrial Electronics and Applications,Vol-2,October 4-6,2009. [4] S. Birlaeta., “Static Noise Margin Analysis of Various SRAM Topologies”, IACSIT, vol.3, No.3, June 2011. [5] Premalatha, “A Comparative Analysis of 6T, 7T, 8T and 9T SRAM Cells in 90nm Technology” 2015 IEEE International Conference on Electrical, Computer and Communication Technologies (ICECCT) 27 August 2015. [6] Kirti Bushan Bawa, “A Comparative Study of 6T, 8T and 9T SRAM Cell” Volume 3,Issue 6, June 2015. [7] D. Burnett, K. Erington, C. Subramanian, & K. Baker, “Implications of fundamental threshold potential variations for high-density SRAM & logic circuits,” in Proc. Symp. VLSI Tech, pp. 15–16,1994. [8] V. Gupta & M. Anis, “Statistical design of the 6T SRAM bit cell,” IEEE Trans. Circuits Syst. I, Reg. Papers, vol. 57, no. 1, pp. 93–104, Jan. 2010. [9] Mansi S. Warde, V. Chandana S “Design & Analysis of 8x8 Static RAM”, International Journal of Scientific & Engineering Research, Volume 6, Issue 7, July-2015. [10] A. Blotti & R. Saletti, “Ultralow-power adiabatic circuit semi custom design,” IEEE Trans. Very Large Scale Integr. (VLSI) Syst., vol. 12, no. 11, pp. 1248– 1253, Nov. 2004. [11] Pandu Ranga Vemula,Rudra Shankar Dhar”Design of 8T SRAM using 14nm FinFET Technology” Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, No. 98 ,2022. [12] Yasuhiro Takahashi, Nazrul Anuar Nayan, Toshikazu Sekine, Michio Yokoyama,”Low-power adiabatic 9T static random access memory” The Journal of Engineering; published by the IET,vol.2014,Issue 6, pp. 259–264, April 2014. [13] V. S. Kanchana Bhaaskaran”Energy Recovery Performance of Quasi-Adiabatic Circuits using Lower Technology Nodes”, IICPE, 2010. [14] E. Seevinck, F. J. List, and J. Lohstroh, “Static-noise margin analysis of MOS SRAM cells,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 22, no. 5, pp. 748–754, Oct. 1987. [15] Chotaro Masuda, Tetsuya Hirose, Kei Matsumoto, Yuji Osaki, Nobutaka Kuroki, & Masahiro Numa, “High Current Efficiency Sense Amplifier Using Body-Bias Control for Ultra-Low-Voltage SRAM”, in Circuits & Systems (MWSCAS),2011 IEEE 54th International Midwest Symposium,2011. [16] Behzad Ebrahimi, Saeed Zeinolabedinzadeh, AliAfzali Kusha:Low Standby Power and Robust FinFET Based SRAM Design, IEEE Computer Society Annual Symposium on VLSI,2008. [17] Evert seevinck, senior member, IEEE, Frans j. List, and Jan lohstroh,”Static-Noise MarginAnalysis of MOS SRAM Cells” IEEE Journal of solid-state circuits, vol-22,Issue-No. 5,1987. [18] A Priydarshi.et.al, "Low-Power and High-Speed Technique for logic Gates in 20nm Double-Gate FinFET Technology", Journal of Physics: Conference Series 755,012055,October 2016. [19] S.H. Kim and J.G. Fossum, "Design Optimization and Performance Projection of Double-Gate FinFETswith Gate Source/Drain Underlap for SRAM Application," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 54, no. 8, pp. 1934–1942, August 2007. [20] R.V. Joshi, R.Q. Williams, E. Nowak, K.Kim,J.Beginner, T.Ludwig, I.Aller, and C. Chuang, "FinFET SRAM for HighPerformance LowPower Applications," ESSCIRC, 2004, pp. 211-4. [21] Kohlolhal, Ranjit, and Vanita Agarwal. "A Power and Static Noise Margin Analysis of different SRAM cells at 180nm Technology." In 2019 3rd International Conference on Electronics, Communication and Aerospace Technology (ICECA), pp. 6-12. IEEE, 2019. [22] Budhaditya Majumdar, Sumana Basu, “Low Power Single Bit line 6T SRAM Cell With High Read Stability”, IEEE 2011 International Conference on Recent Trends in Information Systems,Pp.169-174, February-2012 [23] E. Grossar, “Read Stability and Write-Ability Analysis of SRAM Cells for Nanometer Technologies”, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol.41, no.11, pp. 2577-258, Nov.2006. [24] S. Nanda, and R. S. Dhar, “Exploration and Development of TG Quantum Well Barrier FinFET with Strained HOI Nanosystem Channel for Enhanced Performance”, Computers & Electrical Engineering Journal, Elsevier, Vol. 98, pp. 107687-1-13, January 2022. [25] K. Kumar, and R. S. Dhar, “Exploration of improved leakage based performance analysis for underlap induced strained-Si layer in tri-layered channel DG nanoFETs”, Physica Scripta Journal, IOP, Vol. 96, pp. 124006-1-10, December 2021, ISSN: 1402-4896. [26] S. Hungyo, R. S. Dhar, K. Kumar, K. J. Singh, R. Dey, and S. Bhattacharya, “Estimation and analysis for modelling of stand alone graphene/AlGaAs/GaAs schottky solar photovoltaic cell module for power conversion efficiency”, Microsystem Technologies Journal, Springer, Vol. 27, Issue 10, pp. 3693 3701, October 2021, ISSN: 1432-1858. [27] J. S. Tamang, R. S. Dhar, A. K. Bhoi, A. K. Singh, and S. Chatterjee, “Bio-Sensing Application of Chalcogenide Thin Film in a Graphene-Based Surface Plasmon Resonance (SPR) Sensor”, Sadhana Journal, Indian Academy of Sciences, Springer, Vol.46, No.120, pp.120-1-10, June 2021, ISSN: 0973 7677. [28] Szcześniak A., Szcześniak J., Application of read-only memory to conversion of signals of optoelectronic position transducer, Przegląd Elektrotechniczny, 7 (2014), 84-87. [29] Dlugosz R.T., Talaska T., Wojtyna R., An influence of current leakage in analog memory on training Kohonen neural network implemented on silicon, Przeglad Elektrontechniczny (Electrical Review) 86 (2010), no. 11a, 146-150. [30] Waśkiewicz J., Gołębiowski J., Resistive memory physical mechanism in a thin-film Ag/YBa2Cu3O7-x/Ag structure, Przegląd Elektrotechniczny, 91 (2015), no. 11, 313-317.
Treść płatna
Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp -
zaloguj się
.
Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!
Publikacja
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY- e-publikacja (pdf) z zeszytu 2024-7 , nr katalogowy 149519
licencja: Osobista
Produkt cyfrowy
Nowość
10.00 zł
Do koszyka
Zeszyt
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY- e-zeszyt (pdf) 2024-7
licencja: Osobista
Produkt cyfrowy
Nowość
85.00 zł
Do koszyka
Prenumerata
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista
Produkt cyfrowy
Nowość
762.00 zł
Do koszyka
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista
Szczegóły pakietu
Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
1002.00 zł brutto
927.78 zł netto
74.22 zł VAT
(stawka VAT 8%)
1002.00 zł
Do koszyka
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista
Szczegóły pakietu
Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna
960.00 zł brutto
888.89 zł netto
71.11 zł VAT
(stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka
42.00 zł brutto
34.15 zł netto
7.85 zł VAT
(stawka VAT 23%)
1002.00 zł
Do koszyka
Zeszyt
2024-7
Czasopisma
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH