Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2022 - zeszyt 2

Modeling of InAs/Si Electron-Hole Bilayer Tunnel Field Effect Transistor

10.15199/48.2022.02.30

nr katalogowy: 136090
10.15199/48.2022.02.30

Streszczenie

W niniejszej pracy przedstawiamy wyniki modelowania polowego tranzystora tunelowego Si/InAs z biwarstwą elektronowo-dziurową. W tym celu wykorzystaliśmy opracowany numeryczny symulator przyrządów bazujący na samouzgodnionym rozwiązaniu równań Poissona i Schrödingera. Prezentujemy analizę wpływu grubości kanału na charakterystyki prądowo-napięciowe. Pokazujemy, iż wykorzystanie heterostruktury w obszarze kanału przyrządu może dać dodatkową swobodę w konstruowaniu tranzystora tunelowego EHB TFET. (Modelowanie polowego tranzystora tunelowego InAs/Si z biwarstwą elektronowo-dziurową)

Abstract

In this work, we present the results of modeling of InAs/Si Electron-Hole Bilayer Tunnel Field Effect Transistor. For this purpose, we used a developed numerical device simulator based on a self-consistent solution of Poisson and Schrödinger equations. We present the analysis of the impact of the channel layer thickness on the current-voltage characteristics. We show that using heterostructure in the device channel can give additional freedom in constructing the EHB TFET.

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] Kim Y.-B., Challenges for nanoscale MOSFETs and emerging nanoelectronics, Trans. Electr. Electron. Mater., 11 (2010), no. 3, 93-105.
[2] IonescuA.M.,RielH.,Tunnelfield-effecttransistorsasenergy- efficient electronic switches, Nature, 479 (201), no. 7373, 329- 337.
[3] Avci U. E., Morris D. H., Young I. A., Tunnel field-effect transistors: Prospects and challenges, IEEE J. Electron Devices Soc., 3 (2015), no. 3, 88-95.
[4] Kane E. O., Theory of tunneling, J. Appl. Phys., 32 (1961), no. 1, 83-91.
[5] KaneE.O.,Zenertunnelinginsemiconductors,J.Phys.Chem. Solids, 12 (1960), no. 2, 181-188.
[6] Cao W., Sarkar D., Khatami Y., Kang J., Banerjee K., Subthreshold-swing physics of tunnel field-effect transistors, AIP Adv., 4 (2015), no. 6, 067141.
[7] Agarwal S., Yablonovitch E., Using dimensionality to achieve a sharp tunneling FET (TFET) turn-on, Proc. 69th Device Res. Conf., (2011), 199-200.
[8] Lattanzio L., Dagtekin N., De Michielis L., Ionescu A. M., On the static and dynamic behavior of the germanium electron- hole bilayer tunnel FET, IEEE Trans. Electron Devices, 59 (2012), no. 11, 2932-2938.
[9] Lattanzio L., De Michielis L., Ionescu A. M., The electron–hole bilayer tunnel FET, Solid-State Electron., 74 (2012), 85-90.
[10]Alper C., Lattanzio L., De Michielis L., Palestri P., Selmi L., Ionescu A. M., Quantum mechanical study of the germanium electron–hole bilayer tunnel FET, IEEE Trans. Electron Devices, 60 (2013), no. 9, 2754-2760.
[11]Wiśniewski P., Majkusiak B., Modeling the Current–Voltage Characteristics of Ge1−xSnx Electron–Hole Bilayer TFET With Various Compositions, in IEEE Transactions on Electron Devices, 67 (2020), no. 7, 2738-2744.
[12]Sant S., Schenk A., Band-offset engineering for GeSn-SiGeSn hetero tunnel FETs and the role of strain, IEEE J. Electron Devices Soc., 3 (2015), no. 3, 164-175.
[13]Bigelow J. M., Leburton J. P., Self-consistent modeling of resonant interband tunneling in bipolar tunneling field-effect transistors, IEEE Trans. Electron Devices, 41 (1994), no. 2, 125-131.
[14]Esseni D., Pala M., Palestri P., Alper C., Rollo T., A review of selected topics in physics based modeling for tunnel field-effect transistors, Semiconductor Science and Technology, 32 (2017), no. 8, 083005.
[15]Wiśniewski P., Majkusiak B., Theoretical Study of Current- Voltage Characteristics of the Electron-Hole Bilayer Tunnel Field Effect Transistors of Different Channel Semiconductors, Acta Phys. Pol. A, in press.
[16]Carrillo-Nuñez H., Luisier M., Schenk A., Analysis of InAs-Si heterojunction nanowire tunnel FETs: Extreme confinement vs. bulk, Solid-State Electronics, 113 (2015), 61-67.

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE- e-publikacja (pdf) z zeszytu 2023-5 , nr katalogowy 143323 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	10.00 zł

Zeszyt


WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE- e-zeszyt (pdf) 2023-5 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	37.00 zł

Prenumerata

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

402.00 zł

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE - papierowa prenumerata roczna	492.00 zł brutto 455.56 zł netto 36.44 zł VAT (stawka VAT 8%)
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

534.00 zł

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	600.00 zł brutto 555.56 zł netto 44.44 zł VAT (stawka VAT 8%)

600.00 zł

Zeszyt

2022-2

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma