Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2022 - zeszyt 10

Design of 8T SRAM using 14nm FINFET Technology

Konstrukcja 8T SRAM przy użyciu technologii 14nm FINFET

10.15199/48.2022.10.07

nr katalogowy: 139651
10.15199/48.2022.10.07

Streszczenie

FinFETs are superior to CMOS because of their low power consumption and ability to function at low voltage. The power consumption of today's digital systems has grown due to an exponential increase in transistor count. Furthermore, due to short channel effects, the performance of typical CMOS devices degrades at lower technology nodes. In sub-14 nm technology, FinFETs have greater control over a gate and outperform CMOS designs. FinFET devices feature a greater Ion current and better extensibility than typical CMOS devices. The quasi planar FinFET structure's simple production technique drew a lot of attention. Static leakage current is decreased by up to 90%, and it is more compact. Because of its area of performance, reduced leakage power, intra-die variability, and lower retention voltages, it is employed more than other FETs in SRAM cell design. In this work, an 8-bit SRAM is built and made in FinFET 14nm, the time delay for read and write operations are computed, as well as the leakage power for the design, and the performance is compared to existing technology.

Abstract

FinFET są lepsze od CMOS ze względu na niski pobór mocy i zdolność do pracy przy niskim napięciu. Zużycie energii przez dzisiejsze systemy cyfrowe wzrosło z powodu wykładniczego wzrostu liczby tranzystorów. Ponadto, ze względu na efekty krótkich kanałów, wydajność typowych urządzeń CMOS spada w węzłach o niższej technologii. W technologii poniżej 14 nm FinFET mają większą kontrolę nad bramką i przewyższają konstrukcje CMOS. Urządzenia FinFET charakteryzują się większym prądem jonów i lepszą rozciągliwością niż typowe urządzenia CMOS. Prosta technika produkcji quasi-planarnej struktury FinFET przyciągnęła wiele uwagi. Statyczny prąd upływu jest zmniejszony nawet o 90% i jest bardziej kompaktowy. Ze względu na swój obszar działania, zmniejszoną moc upływu, zmienność wewnątrz matrycy i niższe napięcia retencji, jest on stosowany częściej niż inne tranzystory FET w projektowaniu ogniw SRAM. W tej pracy zbudowano i wykonano 8-bitową pamięć SRAM w technologii FinFET 14nm, oblicza się opóźnienie czasowe dla operacji odczytu i zapisu, a także moc upływu dla projektu, a wydajność porównuje się z istniejącą technologią.

Słowa kluczowe

Keywords

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY- e-publikacja (pdf) z zeszytu 2022-10 , nr katalogowy 139651 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY- e-zeszyt (pdf) 2022-10 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	58.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2022-10

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma