Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2022 - zeszyt 2

Badanie wpływu wybranych parametrów cyklicznego procesu mokrego trawienia chemicznego epitaksjalnych warstw InAs

10.15199/48.2022.02.33

nr katalogowy: 136093
10.15199/48.2022.02.33

Streszczenie

W niniejszym artykule poświęcono uwagę procesowi mokrego trawienia chemicznego warstw epitaksjalnych InAs. Do procesu wprowadzono modyfikację, polegającą na wykonaniu trawienia w sposób cykliczny, przy założonych całkowitych czasach procesu. Zbadano wpływ ilości cykli w procesie mokrego trawienia chemicznego na głębokość trawienia oraz chropowatość strawionej warstwy.

Abstract

The article focuses on the wet chemical etching process of InAs epitaxial layers. A modification to the process was introduced, consisting in carrying out the etching in a cyclical manner, with the assumed total etching times. The influence of the number of cycles in the process on the etch depth and etched layer roughness was investigated. (Investigation of the selected parameters of periodic wet chemical etching process of InAs epitaxial layers).

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] Xiao H., Introduction to semiconductor manufacturing technology, 2nd ed., SPIE, (2012)
[2] Srivastav V., Pal R., Vyas H.P., Overview of etching technologies used for HgCdTe, Opto-Electronics Review, 13 (2005), nr.3, 197–211
[3] Abe H., Yoneda M., Fujiwara N., Developments of Plasma Etching Technology for Fabricating Semiconductor Devices, Jpn. J. Appl. Phys., 47 (2008), nr.3, 1435–1455
[4] Liu L., Chen Y., Ye Z., Ding R., A review of plasma-etch- process induced damage of HgCdTe, Infrared Physics & Technology, 90 (2018), 175-185
[5] Pal A.N., Müller S., Ihn T., Ensslin K., Tschirky T., Charpentier C., Wegschelder W., Influence of etching processes on electronic transport in mesoscopic InAs/GaSb quantum well devices, AIP Advances, 5 (2015), 077106
[6] Joint F., Abadie C., Vigneron P.B., Boulley L., Bayle F., Isac N., Cavanna A., Cambril E., Herth E., GaAs manufacturing processes conditions for micro- and nanoscale devices, Journal of Manufacturing Processes, 60 (2020). 666-672
[7] Zhou S., Cao B., Liu S., Dry etching characteristics of GaN using Cl2/BCl3 inductively coupled plasmas, Applied Surface Science, 257 (2010), nr.3, 905-910
[8] Liu X., Sun C., Xiong B., Niu L., Hao Z., Han Y., Luo Y., Smooth etching of epitaxially grown AlN film by Cl2/BCl3/Ar- based inductively coupled plasma, Vacuum, 116 (2015), 158- 162
[9] Smoczyński D., Czuba K., Papis-Polakowska E., Kozłowski P., Ratajczak J., Sankowska I., Jasik A., The impact of mesa etching method on IR photodetector current-voltage characteristics, Materials Science in Semiconductor Processing, 118 (2020), 105219
[10] ArafinS.,McFaddenA.P.,PaulB.,HasanS.M.N.,GuptaJ.A., Palmstrøm C.J., Coldren L.A., Study of wet and dry etching processes for antimonide-based photonic ICs, Optical Materials EXPRESS, 9 (2019), nr.4, 1786-1794
[11] Dier O., Lin C., Grau M., Amann M.-K., Selective and non- selective wet-chemical etchants for GaSb-based materials, Semicond. Sci. Technol., 19 (2004), 1250-1253
[12] Guo N., Hu W., Liao L., Yip S.P., Ho J.C., Miao J., Zhang Z., Zou J., Jiang T., Wu S., Chen X., Lu W., Anomalous and Highly Efficient InAs Nanowire Phototransistors Based on Majority Carrier Transport at Room Temperature, Adv. Mater., 26 (2014), nr.48, 8203-8209
[13] Ting D.Z., Soibel, A., Khoshakhlagh A., Sir Rafol B., Keo S.A., Höglund L., Fisher A.M., Luong E.M., Gunapala S.D., Mid- wavelength high operating temperature barrier infrared detector and focal plane array, Appl. Phys. Lett., 113 (2018), 021101
[14] Lee S.C., Krishna S., Jiang Y.-B., Brueck R.J., Plasmonic- coupled quantum dot photodetectors for mid-infrared photonics, Optics EXPRESS, 29 (2021), nr.5, 7145-7157
[15] Manyk T., Murawski K., Michalczewski K., Grodecki K., Rutkowski J., Martyniuk P., Method of electron affinity evaluation for the type-2 InAs/InAs1-xSbx superlattice, J. Mater. Sci., 55 (2020), nr.12, 5135-5144
[16] Kowalewski A., Martyniuk P., Markowska O., Benyahia D., Gawron W., New wet etching solution molar ratio for processing T2SLs InAs/GaSb nBn MWIR infrared detectors grown on GaSb substrates, Materials Science in Semiconductor Processing, 41 (2016), 261-264
[17] Ekici Ö., Aslantas K., Özgür K., Keles A., Evaluation of surface roughness after root resection: An optical profilometer study, Microscopy Research and Technique, 84 (2021), nr.4, 828-836
[18] de Groot P., Principles of interference microscopy for the measurement of surface topography, Advances in Optics and Photonics, 7 (2015), nr.1, 1-65
[19] Technical reference manual, 2nd ed., Wyko Corporation, (1995)

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY- e-publikacja (pdf) z zeszytu 2022-2 , nr katalogowy 136093 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	10.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2022-2

Twój Koszyk

Publikacja

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma