Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2022 - zeszyt 1

Badania jednorodności cienkich warstw InAs otrzymywanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych

10.15199/48.2022.01.27

nr katalogowy: 135358
10.15199/48.2022.01.27

Streszczenie

Niniejsza praca porusza zagadnienie charakteryzacji warstw epitaksjalnych arsenku indu (InAs) pod kątem jednorodności przestrzennej. Badania przeprowadzone w pracy zostały oparte na trzech metodach charakteryzacji: wysokorozdzielczej mikroskopii optycznej, mikroskopii sił atomowych i spektroskopii Ramana. Obiektem badań były warstwy epitaksjalne InAs na podłożach arsenku galu (GaAs), które zostały wytworzone metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE).

Abstract

This thesis deals with the characterization of epitaxial layers of indium arsenide (InAs) in terms of spatial homogeneity. The research conducted in the paper was based on three characterization methods: high-resolution optical microscopy, atomic force microscopy and Raman spectroscopy. The subject of the research were epitaxial layers of InAs on gallium arsenide (GaAs) substrates, which were produced by the method of molecular beam epitaxy (MBE), (Investigation of homogeneity of InAs thin layers obtained by molecular beam epitaxy technique).

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] Piskorski, L. and Sarzala, R.P., (2016) Material parameters of antimonides and amorphous materials for modelling the midinfrared lasers. Optica Applicata. 46(2): p. 227-240.
[2] Obaid, S. and Lu, L.Y., (2019) Highly Efficient Microscale Gallium Arsenide Solar Cell Arrays as optogenetic Power Options. Ieee Photonics Journal. 11(1).
[3] Lee, S., Winslow, M., Grein, C.H., Kodati, S.H., Jones, A.H., Fink, D.R., Das, P., Hayat, M.M., Ronningen, T.J., Campbell, J.C., and Krishna, S., (2020) Engineering of impact ionization characteristics in In0.53Ga0.47As/Al0.48In0.52As superlattice avalanche photodiodes on InP substrate. Scientific Reports. 10(1).
[4] Rogalski, A., Kopytko, M., and Martyniuk, P., (2018) Antimonide-based Infrared Detectors: A New Perspective. Vol. PM280. SPIE.
[5] Rogalski, A., (2019) Infrared and Terahertz Detectors, Third Edition. 3rd ed., Boca Raton: CRC Press.
[6] Li, W.C., Lin, Y.T., Jeng, J.J., and Chang, C.L., (2014) Deposition uniformity inspection in IC wafer surface. Journal of Physics: Conference Series. 483: p. 012022.
[7] Kim, J., Seo, O., Kumara, L.S.R., Nabatame, T., Koide, Y., and Sakata, O., (2021) Highly-crystalline 6 inch free-standing GaN observed using X-ray diffraction topography. Crystengcomm. 23(7): p. 1628-1633.
[8] Nguyen, B.M., Chen, G.X., Hoang, M.A., and Razeghi, M., (2011) Growth and Characterization of Long-Wavelength Infrared Type-II Superlattice Photodiodes on a 3-in GaSb Wafer. Ieee Journal of Quantum Electronics. 47(5): p. 686-690.
[9] Szabo, Z., Baji, Z., Basa, P., Czigany, Z., Barsony, I., Wang, H.Y., and Volk, J., (2016) Homogeneous transparent conductive ZnO:Ga by ALD for large LED wafers. Applied Surface Science. 379: p. 304-308.
[10] Gurcan, K., Bertuch, A., and Steeples, K., (2007) Real-Time, High Resolution, Dynamic Surface Charge Wafer Mapping for Advanced Ion Implant Process Control. AIP Conference Proceedings. 931(1): p. 111-115.
[11] Ghim, Y.-S., Suratkar, A., and Davies, A., (2010) Reflectometry-based wavelength scanning interferometry for thickness measurements of very thin wafers. Optics Express. 18(7): p. 6522-6529.
[12] Dyksik, M., Motyka, M., Sek, G., Misiewicz, J., Dallner, M., Weih, R., Kamp, M., and Hofling, S., (2015) Submonolayer Uniformity of Type II InAs/GaInSb W-shaped Quantum Wells Probed by Full-Wafer Photoluminescence Mapping in the Midinfrared Spectral Range. Nanoscale Research Letters. 10.
[13] Patten, E.A., Goetz, P.M., Vilela, M.F., Olsson, K., Lofgreen, D.D., Vodicka, J.G., and Johnson, S.M., (2010) High- Performance MWIR/LWIR Dual-Band 640 × 480 HgCdTe/Si FPAs. Journal of Electronic Materials. 39(10): p. 2215-2219.
[14] Wróbel, J., Grodecki, K., Benyahia, D., Murawski, K., Michalczewski, K., Grzonka, J., Boguski, J., Gorczyca, K., Umana-Membreno, G.A., Kubiszyn, Ł., Kębłowski, A., Michałowski, P.P., Gomółka, E., Martyniuk, P., Piotrowski, J., Rogalski, A. (2018), Structural and optical characterization of the high quality Be-doped InAs epitaxial layer grown on GaAs substrate., Proceeedings of SPIE, 108300S, doi:10.1117/12.2503624.
[15] Szybowicz, M., Dychalska, A. (2016), Charakteryzacja struktur grafenowych na podłożach stałych metodami spektroskopowymi. LAB Lab. Apar. Badania 21, 20–27.

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY- e-publikacja (pdf) z zeszytu 2022-1 , nr katalogowy 135358 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY- e-zeszyt (pdf) 2022-1 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	55.00 zł
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY- e-zeszyt (pdf) 2022-10 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	58.00 zł
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY- e-zeszyt (pdf) 2022-11 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	58.00 zł
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY- e-zeszyt (pdf) 2022-12 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	58.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2022-1

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma