Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2019 - zeszyt 10

Modelowanie wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego na charakterystyki wybranych elementów elektronicznych

(Modelling an influence of an external electromagnetic field on characteristics of selected electronic components

10.15199/48.2019.10.29

nr katalogowy: 122732
10.15199/48.2019.10.29

Streszczenie

W pracy zaproponowano sposób modelowania właściwości elementów półprzewodnikowych przy uwzględnieniu wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego. Przedstawiono koncepcję modelowania rozważanych elementów za pomocą programu SPICE oraz pokazano postać hybrydowego modelu elementu półprzewodnikowego uwzględniającego oddziaływanie rozważanego pola na przebiegi napięcia i prądu elementu półprzewodnikowego. Rozważania szczegółowe przeprowadzono na przykładzie diody p-n. Przedstawiono i przedyskutowano wyniki obliczeń charakterystyk statycznych i dynamicznych tej diody. Wskazano, przy jakich wartościach parametrów pola elektromagnetycznego widoczny jest jego wpływ na rozważane charakterystyki.

Abstract

This paper proposes the manner of the modelling properties of semiconductor devices with an influence of the external electromagnetic field taken into account. The idea of modelling considered devices by means of the SPICE software is presented and the form of the hybrid model of the semiconductor device taking into account the influence of considered field on courses of the voltage and the current of this device is shown. Detailed considerations were passed on the example of the p-n diode. Results of calculations of dc and dynamic characteristics of this diode are presented and discussed. It is shown, at which values of parameters characterising electromagnetic field its influence on considered characteristics is visible.

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] Hasse L., Karkowski Z., Spiralski L., Kołodziejski J., Konczakowska A.: Zakłócenia w aparaturze elektronicznej. Radioelektronik Sp. z o.o., Warszawa, 1995.
[2] Gajewski P., Turczyński J.: Cyfrowe układy scalone CMOS. WKŁ, Warszawa, 1990.
[3] Rashid M.H., Rashid H.M.: Spice for Power Electronics and Electric Power, 2006, CRC press.
[4] Maksimovic D., Stankovic A.M., Thottuvelil V.J., Verghese G.C.: Modeling and simulation of power electronic converters, Proceedings of the IEEE, Vol. 89, No. 6, 2001, s. 898-912.
[5] Wilamowski B., Jager R.C.: Computerized circuit Analysis Using SPICE Programs, McGraw-Hill, New York, 1997.
[6] Górecki P., Górecki K., Zarębski J.: Modelling the temperature influence on dc characteristics of the IGBT, Microelectronics Reliability, Vol. 79, 2017, pp. 96-103. PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY, ISSN 0033-2097, R. 95 NR 10/2019 133
[7] Zarębski J., Górecki K.: SPICE-aided modelling of dc characteristics of power bipolar transistors with selfheating taken into account, International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks, Devices and Fields, Vol. 22, No. 6, 2009, pp. 422-433.
[8] Zarębski J., Górecki K.: The electrothermal large-signal model of power MOS transistors for SPICE. IEEE Transaction on Power Electronics, Vol. 25, No. 5-6, 2010, pp. 1265 - 1274.
[9] Górecki K., Zarębski J.: Modeling Nonisothermal Characteristics of Switch-Mode Voltage Regulators, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 23, No. 4, 2008, pp. 1848-1858.
[10] Zarębski J., Dąbrowski J.: Investigations of SiC merged pin Schottky diodes under isothermal and non-isothermal conditions, International Journal of Numerical Modelling - Electronic Networks, Devices and Fields, Vol. 24, No. 3, 2011, pp. 207-217.
[11] Starzak Ł., Zubert M., Janicki M., Torzewicz T., Napieralska M., Jabloński G., Napieralski A.: Behavioral approach to SiC MPS diode electrothermal model generation, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 60, No. 2, 2013, pp. 630-638.
[12] Górecki K.: A new electrothermal average model of the diodetransistor switch. Microelectronics Reliability, Vol. 48, No. 1, 2008, pp. 51-58.
[13] Schurack E., Rupp W., Latzel T., Gottwald A., Analysis and Measurement of Nonlinear Effects in Power Amplifiers Caused by Thermal Power Feedback, IEEE International Symposium on Circuits and Systems - ISCAS'92, Vol. 2, San Diego 1992, pp. 758-761.
[14] Herman A., Kalestyński A., Widomski L.: Podstawy fizyki dla kandydatów na wyższe uczelnie. PWN, Warszawa, 1984.

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 122732 "Modelowanie wpływu zewnęt..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2019-10 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2019-10

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma