Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2014 - zeszyt 9

Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)

10.12915/pe.2014.09.24

nr katalogowy: 86921
10.12915/pe.2014.09.24

W celu określenia schematów pasmowych struktur MOS wykonanych na podłożu z węglika krzemu SiC(4H) wykorzystano szereg technik charakteryzacji: elektrycznych, optycznych oraz fotoelektrycznych. Szczególnie przydatne są pomiary fotoelektryczne, które pozwalają na wyznaczenie wysokości barier potencjału na powierzchniach granicznych dielektryka, jak również pozwalają na określenie położenia energetycznego stanów powierzchniowych na granicy SiO2/SiC. Praca przedstawia wyniki pomiarów wykonanych na kondensatorach MOS z aluminiową bramką Al oraz z warstwą dielektryka wykonaną w dwóch różnych technologiach (chemiczne osadzanie i termiczne utlenianie). Abstract. In order to determine band diagrams of the MOS structures made on SiC(4H) substrate several measurement techniques were used: electrical, optical and photoelectric methods. Particularly photoelectric methods are useful since they allow determination of barrier heights at the both dielectric interfaces. In this work measurement results performed on MOS capacitors with aluminum metal gate and with different dielectric layers (chemical deposition and thermal oxidation) are presented. Band diagrams of the MOS structures made on SiC(4H) substrate Słowa kluczowe: struktura MOS, schemat pasmowy, stany powierzchniowe. Keywords: MOS structure, band diagram, interface states. doi:10.12915/pe.2014.09.24 Wstęp Węglik krzemu SiC jest związkiem półprzewodnikowym, który ze względu na swoje właściwości jest niezwykle atrakcyjnym materiałem podłożowym do zastosowań w nowoczesnej elektronice. Niewątpliwą zaletą SiC jest dużo większa przerwa zabroniona EG (w zależności od politypu wynosi odpowiednio: 3C - 2,38, 6H - 3,02, 4H - 3,26 eV) [1] w stosunku do przerwy energetycznej krzemu Si (1,12 eV). Przyrządy półprzewodnikowe oparte na węgliku krzemu mogą pracować w warunkach bardziej ekstremalnych w stosunku do przyrządów krzemowych, m.in. dla wyższych temperatur i częstotliwości oraz są bardziej odporne[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 122364 "Sprawność działania w kon..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PROBLEMY JAKOŚCI - e-zeszyt (pdf) 2019-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	31.00 zł

Prenumerata

PROBLEMY JAKOŚCI - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

372.00 zł

PROBLEMY JAKOŚCI - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PROBLEMY JAKOŚCI - papierowa prenumerata roczna	420.00 zł brutto 388.89 zł netto 31.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PROBLEMY JAKOŚCI - pakowanie i wysyłka	21.00 zł brutto 17.07 zł netto 3.93 zł VAT (stawka VAT 23%)

441.00 zł

PROBLEMY JAKOŚCI - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PROBLEMY JAKOŚCI - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	561.00 zł brutto 519.44 zł netto 41.56 zł VAT (stawka VAT 8%)

561.00 zł

Zeszyt

2014-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma