Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2019 - zeszyt 9

Homoepitaksja węglika krzemu dla przyrządów mocy w Sieci Badawczej Łukasiewicz - ITME

Silicon Carbide Homoepitaxy for Power Devices at Lukasiewicz Research Network - ITME

10.15199/48.2019.09.32

nr katalogowy: 122092
10.15199/48.2019.09.32

Streszczenie

Sieć Badawcza Łukasiewicz - ITME posiada wieloletnie doświadczenie w homoepitaksji warstw węglika krzemu na przewodzących podłożach 4H-SiC o średnicy do 3 cali. Technologia wzrostu obejmuje warstwy nieintencjonalnie domieszkowane, warstwy typu "n" oraz warstwy typu "p". Koncentracja powierzchniowa defektów wynosi ~7000 cm-2 dla przypadku podłoża odchylonego o 4° od płaszczyzny (0001) w kierunku [11- 20]. Nowoczesne wyposażenie laboratoryjne pozwala na kompleksową charakteryzację w oparciu o techniki AFM, SEM, SIMS, DLTS, spektroskopię Ramana oraz pomiar charakterystyk I-V i C-V.

Abstract

Lukasiewicz Research Network – ITME has had many years of experience in silicon carbide homoepitaxy on conducting up to 3-in 4H-SiC substrates. The growth technology covers unintentionally doped layers, n-type layers and p-type layers. Surface etched pit density is below 7000 cm- 2 for a substrate that is 4° off-axis from the (0001) plane towards the [11-20] direction. Modern laboratory equipment allows for a comprehensive characterisation based on AFM, SEM, SIMS, DLTS, Raman spectroscopy, and I-V and C-V measurements.

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] Status of the Power Electronics Industry Report, Yole Development, (2017)
[2] Semiconductors Today, 6 (1) (2011), 34 (http://viewer.zmags.com/publication/4c2229e7#/4c2229e7/35)
[3] Feng Z.C., SiC Power Materials: Devices and Applications, Springer, Germany (2004)
[4] Strupinski W., Kościewicz K., Weyher J., Olszyna A., Effect of Substrates Thermal Etching on CVD Growth of Epitaxial Silicon Carbide Layers, Materials Science Forum, 600-603 (2009), 155-158
[5] Kosciewicz K., Strupinski W., Olszyna A., Comparison Between Polishing Etching of On and Off-axis C and Si-faces of 4H-SiC Wafers, Materials Science Forum, 615-617 (2009), 597-600
[6] Kosciewicz K., Strupinski W., Wierzchowski W., Wieteska K., Olszyna A., Polytypism Study in SiC Epilayers Using Electron Backscatter Diffraction, Materials Science Forum (2010), 645- 648
[7] Kościewicz K., Strupiński W., Teklińska D., Mazur K., Olszyna A., Epitaxial growth on 4H-SiC on-axis, 0.5°, 1.25°, 2°, 4°, 8° off-axis substrates - defects analysis and reduction, Materials Science Forum, 679-680 (2011), 95-98
[8] Kościewicz K., Bożek R., Strupiński W., Olszyna A., Microscopic Investigation of SiC Epitaxial LAyers on On-axis 4H-SiC Substrates Using Kelvin Probe Force Microscopy, Acta Physica Polonica A, 116 (2009), 69-71
[9] Nishizawa S., Mercier F., Effect of nitrogen and aluminium on silicon carbide polytype stability, Journal of Crystal Growth, 518 (2019), 99-102
[10] Zhao L., Wu H., A correlation study of substrate and epitaxial wafer with 4H-N type silicon carbide, Journal of Crystal Growth, 507 (2019), 109-112
[11] Dhanaraj G., Dudley M, Chen Y., Ragothamachar B., Wu B., Zhang H., Epitaxial growth and characterization of silicon carbide films, Journal of Crystal Growth, 287 (2006), 344-348
[12] Ferro G., Chaussende D., Tsavdaris N., Understanding Al incorporation into 4H-SiC during epitaxy, Journal of Crystal Growth, 507 (2019), 338-343
[13] Pedersen H., Beyer F.C., Hassan J., Henry A., Janzen E., Donor incorporation in SiC epilayers grown at high growth rate with chloride-based CVD, Journal of Crystal Growth, 311 (2009), 1321-1327
[14] Kaminski P., Kozubal M., Caldwell J. D., Kew K. K., Van Mil B. L., Myers-Ward R. L., Eddy Jr. Ch. R., Gaskill K., Deep-level defects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons, Materiały Elektroniczne, 38 (2010), nr. 3/4, 26-34
[15] Capan I., Brodar T., Coutinho J., Ohshima T., Markevich V., Peaker A. R., Acceptor levels of the carbon vacancy in 4H-SiC: Combining Laplace deep level transient spectroscopy with density functional modelling, Journal of Applied Physics 124 (2018), 245701(1-10)

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 122092 "Homoepitaksja węglika krz..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2019-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2019-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma