Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2019 - zeszyt 9

Metodyka określania parametrów elektrycznych warstw GaSb osadzonych na przewodzącym podłożu

Determination of the electrical parameters of GaSb:Be layers with various doping concentration grown on conductive p-type substrate

10.15199/48.2019.09.25

nr katalogowy: 122082
10.15199/48.2019.09.25

Streszczenie

W artykule podjęto próbę określenia parametrów warstw epitaksjalnych GaSb o różnej koncentracji atomów berylu osadzonych na przewodzących podłożach GaSb o dziurowym typie przewodnictwa. Wykorzystano do tego zaproponowany w literaturze model wielowarstwowy, który zweryfikowano przez pomiar parametrów elektrycznych warstwy GaSb osadzonej na półizolującym podłożu GaAs. Stwierdzono, że model pozwala poprawnie określać parametry elektryczne warstw wówczas, gdy przewodność całej struktury jest większa niż przewodność podłoża. W przypadku odwrotnym otrzymano zawyżone wartości ruchliwości nośników w temperaturze pokojowej w porównaniu do wartości uzyskanych w temperaturze 77 K dla koncentracji nośników ok. 5 x 1017 cm-3.

Abstract

In the paper, an attempt was made to determine electrical parameters of GaSb:Be layers with various doping concentration grown on conductive p-type substrate. A multi-layer model proposed by Arnaudov et al [10] was used. To verify it, the model was applied to the experimental data obtained for GaSb/GaAs(SI) sample. It was proven that the model correctly calculates electrical parameters, when the conductivity of the entire sample is larger than that of a substrate. In the opposite situation, overestimated values of hole mobility at room temperature were obtained for GaSb layer with p = 5 x 1017 cm-3 in comparison with correct values at 77 K.

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] A. Joullié, P. Christol, "GaSb-based mid-infrared 2-5 μm laser diodes", C. R. Physique 4 (2003) 621-637.
[2] D. Montesdeoca, P.J. Carrington, I.P. Marko, M.C. Wagener, S.J. Sweeney, A.Kriera, "Open circuit voltage increase of GaSb/GaAs quantum ring solar cells under high hydrostatic pressure", Sol. Energy Mater. Sol. Cells 187 (2018) 227-232.
[3] K. Czuba, I. Sankowska, J. Jureńczyk et al., "Influence of Be doping placement in InAs/GaSb superlattice-based absorber on the performance of MWIR photodiodes", Semicond. Sci. Technol. 32 (2017) 055010 (9pp).
[4] D.R. Rhiger, R.E. Kvaas, S.F. Harris, C.J. Hill, "Characterization of LWIR diodes on InAs/GaSb Type-II superlattice material", Infrared Phys. Techn. 52 (2009) 304- 309.
[5] L.J. Van der Pauw, "A method of measuring specific resistivity and Hall effect of discs of arbitrary shape", Philips Res. Rep. 13 (1958) 1-9.
[6] F. Predan, J. Ohlmann, S. Mrabet, F. Dimroth, D. Lackner, "Hall characterization of epitaxial GaSb and AlGaAsSb layers using p-n junctions on GaSb substrates", J. Cryst. Growth 496- 497 (2018) 36-42.
[7] W.C. Mitchela, S. Elhamrib, H.J. Haugana, R. Berneyb, S. Moua, and G.J. Brown, "Electrical Isolation of Type II InAs/InGaSb Superlattices from GaSb Substrates", Proc. of SPIE 9370 (2015) 937038 (6pp).
[8] S.H. Huang, G. Balakrishnan, A. Khoshahklagh, A. Jallipalli, L.R. Dawson, D.L. Huffaker, "Strain relief by periodic misfit arrays for low defect density GaSb on GaAs", Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 131911 (3pp).
[9] A. Jasik, I. Sankowska, A. Wawro, J. Ratajczak, D. Smoczyński, K. Czuba, "GaSb layers with low defect density deposited on (001) GaAs substrate in two-dimensional growth mode using molecular beam epitaxy", Curr. Appl. Phys. 19 (2019) 542-547.
[10] B. Arnaudov, T. Paskova, S. Evtimova, E. Valcheva, M. Heuken, and B. Monemar, "Multilayer model for Hall effect data analysis of semiconductor structures with step-changed conductivity", Phys. Review B 67 (2003) 045314 (10pp.)

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 122082 "Metodyka określania param..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2019-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2019-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma