Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2019 - zeszyt 9

Technologia MBE struktur fotorezystorów LWIR na bazie SL II rodzaju

MBE growth of LWIR photoconductor structures based on type II superlattices

10.15199/48.2019.09.23

nr katalogowy: 122080
10.15199/48.2019.09.23

Streszczenie

W artykule przedstawiono wybrane aspekty dwuetapowej optymalizacji supersieci II rodzaju InAs/GaSb stosowanych w konstrukcji fotodetektorów długofalowego promieniowania podczerwonego. Pierwszy etap miał na celu opracowanie wzrostu struktur periodycznych potwierdzonych badaniami dyfrakcyjnymi, natomiast drugi redukcję defektów punktowych na ich powierzchni. Zademonstrowano wpływ grubości obszarów międzyfazowych InSb na gęstość defektów oraz wpływ defektów na właściwości fotorezystorów. Uzyskano przyrządy o krawędzi absorbcji ok. 9,3 m pracujące bez chłodzenia kriogenicznego (do 225 K).

Abstract

The article presents selected aspects of the two-stage optimization of type II InAs/GaSb superlattice for the use in photodetectors of the long-wavelength-infrared radiation. The first stage was to develop the growth of the periodic structures confirmed by x-ray diffraction studies, and the second one to reduce density of the point defects on the superlattice surface. The effect of the thickness of InSb interfaces on the defect density and the impact of defects on the photoconductor properties was shown. The photoconductors with absorption cut-off wavlength of about 9.3 μm and an current responsivity (Ri) detecteble in a wide temperature range of up to 225 K were obtained

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] Rodriguez J.B., Christol P., Cerutti L., Chevrier F., Joullié A., MBE growth and characterization of type-II InAs/GaSb superlattices for mid-infrared detection, J. Cryst. Growth 274 (2005), 6-13
[2] Grein C.H., Young P. M., Flatt M. E., Ehrenreich H., Long wavelength lnAs/lnGaSb infrared detectors: Optimization of carrier lifetimes, J. Appl. Phys. 78 (1995), 7143-7152
[3] Steenbergen E.H., Connelly B.C., Metcalfe G.D., Shen H., Wraback M., Lubyshev D., Qiu Y., Fastenau J.M., Liu A.W.K., Elhamri S., Cellek O.O., Zhang Y.-H., Significantly improved minority carrier lifetime observed in a long-wavelength infrared III-V type-II superlattice comprised of InAs/InAsSb", Appl. Phys. Lett. 99 (2011), 251110
[4] Brown G.J., Szmulowicz F., Haugan H., Mahalingam K., Houston S., Design of InAs/Ga(In)Sb superlattices for infrared sensing, Microelectronics Journal 36 (2005), 256-259
[5] Delmas M., Taalat R., Rodriguez J.B., Christol P., Giard E., Ribet-Mohamed I., Imbert J., Derelle S., Trinité V. , Analysis of electrical and electro-optical characteristics of midwave infrared InAs/GaSb SL pin photodiodes, Proc. of SPIE 8993 (2014), 89930Z-1
[6] Yu Z.-G., Krishnamurthy S., Formation energies of native point defects in strained-layer superlattices, AIP Advances 7 (2017), 065203
[7] Lubyshev D., Fastenau J.M., Gu X., Liu A.W.K., Prineas J., Koerperick E.J., Olesberg J.T., Jackson E.M., Noldec J.A. , Yi C., Aifer E.H., MBE growth of Sb-based type-II strained layer superlattice structures on multi-wafer production reactors, Proc. of SPIE 7660 (2010), 76601J-1
[8] Bandara S., Baril N., Maloney P., Billman C., Nallon E., Shih T., Pellegrino J., Tidrow M., Heterojunction-based GaSb/InAs strained-layer superlattice long wavelength infrared detectors, Infrared Phys. Techn. 59 (2013), 18-21
[9] Rehm R., Walther M., Schmitz J., Rutz F., Fleißner J., Scheibner R., Ziegler J., InAs/GaSb superlattices for advanced infrared focal plane arrays, Infrared Phys. Techn. 52 (2009), 344-347
[10] Klipstein P. C., Avnon E., Azulai D., Benny Y., Fraenkel R., Glozman A., Hojman E., Klin O., Krasovitsky L., Langof L., Lukomsky I., Nitzani M., Shtrichman I., Rappaport N., Snapi N., Weiss E., Tuito A., Type II superlattice technology for LWIR detectors, Proc. of SPIE 9819 (2016), 98190T-1
[11] Nouaoura M., Lassabatere L., Bertru N., Bonnet J., Ismail A., Problems relevant to the use of optical pyrometers for substrate temperaturemeasurements and controls in molecular beam epitaxy, J. Vac. Sci. Techn. B 13 (1995), 83-87
[12] Jasik A., Sankowska I., Regiński K., Machowska-Podsiadło E., Wawro A., Wzorek M., Kruszka R., Jakieła R., Kubacka- Traczyk J., Motyka M., Kaniewski J., MBE growth of type II InAs/GaSb superlattices on GaSb buffer, In: Crystal growth: theory, mechanisms and morphology, ISBN 978-1-61324-529- 3, 2012, Nova Science Publisher, Inc.
[13] Corbin E., Shaw M.J., Kitchin M.R., Hagon J.P., Jaros M., Systematic study of type II Ga1-xInxSb/InAs superlattices for infra-red detection in the 10-12 μm wavelength range, Semicond. Sci. Technol. 16 (2001), 263-272

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 122080 "Technologia MBE struktur ..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2019-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2019-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma