Czasopismo | PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA | Rocznik 2017 - zeszyt 19-20

Historia rozwoju przyrządów półprzewodnikowych w Polsce stosowanych w praktyce (cz. II)

History of development of semiconductor devices used in practice in Poland (p. II)

Jerzy KLAMKA

nr katalogowy: 109237

Streszczenie

W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1954-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody Schottky'ego, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).

Abstract

Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semiconductor devices in the period of 1954-2000. They are german and silicon rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic military egwiment mailny for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Schottky diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, transistors).

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] Groszkowski J. Konstrukcja tranzystora punktowego. Pat. PRL 37802.
[2] Majewski Z., J. Klamka. 1955. Lokalne trawienie elektrolityczne germanu, Arch. Elektrot., 4, 9: 379-391.
[3] Majewski Z., A. Brochocki, J. Klamka. 1955. Wpływ oczyszczania strefowego germanu na napięcie wsteczne układu stykowego german-wolfram. Arch. Elektrot., 4, 2: 394-396.
[4] Brochocki A., J. Klamka, Z. Majewski. 1955. Otrzymywanie złączy warstwowych german-ind o właściwościach prostowniczych. Arch. Elektrot., 4, 2: 396-397.
[5] J. Klamka. 1957. Technologia złącz p-n, Elektronika, 3: 10-11, 9-19.
[6] J. Klamka. 1957. Germanowe diody mocy, Zesz. Nauk. PW, Elektryka, 15: 57-77.
[7] Klamka J. 1958. Fotodiody germanowe, Prz. Tele-kom., 6, 32: 180-181.
[8] Klamka J. 1959. Krzemowa dioda warstwowa Al-Si, Arch. Elektrot., 8, 2: 351-352.
[9] Klamka J.1965. Diody krzemowe dużej mocy, Rozpr. Elektrot., XI, 4.
[10] Klamka J. 1960. Diody germanowe i krzemowe, WNT, Warszawa.
[11] Klamka J. 1960. Technology of Germanium p-n Alloyed Junction for Microwave Variable - Capacitance Diodes, Bull. Acad. Pol. Sci., Techn 8, 7: 385-390.
[12] Klamka J. 1963. Półprzewodnikowe diody o zmiennej pojemności, WNT, Warszawa.
[13] Klamka J. 1973. Diody mikrofalowe półprzewodnikowe, WNT, Warszawa.
[14] Klamka J. 1982. Mikrofalowe przyrządy półprzewodnikowe, WNT, Warszawa.
[15] Klamka J. 1962. Germanium Varactor Diode With High Cut- -Off Frequency, Bull. Acad. Pol. Sc., Technol., 10, 11: 685-687.
[16] Klamka J. 1964. Sposób wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych w szczególności mikrofalowych. Pat. PRL 51990.
[17] Klamka J. 1965. Sposób wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych, zwłaszcza waraktorów mikrofalowych. Pat. PRL 5 1993.
[18] Klamka J. 1967. Krzemowe epitaksjalne waraktory mocy z dyfuzyjnymi złączami p-n, Prz. Elektron. 8, 11: 520-525 .
[19] Klamka J. 1967. GaAs Diffused-Junction Varactor Diodes, Bull. Acad. Pol. Sci., Techn., 15, 12: 223-225.
[20] Klamka J. 1970. Krzemowa dioda lawinowa na pasmo X, Arch. Elektrot., 19, (1): 173-174.
[21] Klamka J. 2000. 40 lat mikrofalowej elektroniki półprzewodnikowej w Polsce, Elektronika, 8-9: 11-21.
[22] Klamka J., R. Latkowski. 1975. Diody Gunna o mocy ciągłej w paśmie X, III Kraj. Konf. MECS Zakopane 1974, Mikrofalowa elektronika ciepła stałego. PWN, Warszawa.
[23] Klamka J., J. Parafianowicz, M. Suchecka, B. Korybut-Daszkiewicz. 1990. Diody Gunna dużej mocy i ich właściwości elektryczne, Prace ITE, 11-12: 163-173.
[24] Klamka J. 1972. Mikrofalowe diody PIN, Arch. Elektron., XXI: 923-926.
[25] Klamka J. 2017. Półprzewodnikowe przyrządy dla rozwoju elektroniki i techniki mikrofalowej w kraju. Rozdział w publikacji ITE "50 lat Instytutu Technologii Elektronowej"
[26] Klamka J. 1984. Mikrofalowe diody Schottky’ego PtSi-Si, Prace ITE, 4: 1-11 (1983), Elektronika, 2.
[27] Klamka J., M. Suchecka: (1984) Zrównoważony mieszacz na pasmo X z arsenkowo-galowymi diodami Schottky’ego, Prace ITE, 9, 1-17 (1984), Elek- tronika, 11: 22-26.
[28] Klamka J., J. Kunicki, K. Saczuk, Z. Tkaczyk: (1996) Selected Issues of Design and Technology of HEMTs and Design of the SP-HEMT Structures, Prace ITE, 6-12: 178-186.
[29] Klamka J. 2006. Pierwsze polskie przyrządy półprzewodnikowe - z perspektywy 50 lat, Elektronika - konstrukcje, technologie, zastosowania, 6: 40-46.
[30] Klamka J. 2002. Heterozłączowe przyrządy półprzewodnikowe na zakres mikrofal i fal milimetrowych, Warszawa. Wyd. Agencja Lotnictwa ALTAIR Sp. z o.o.

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 109237 "Historia rozwoju przyrząd..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA - e-zeszyt (pdf) 2017-19-20 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	12.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

312.00 zł

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA - papierowa prenumerata roczna	384.00 zł brutto 355.56 zł netto 28.44 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

426.00 zł

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	474.00 zł brutto 438.89 zł netto 35.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

474.00 zł

Zeszyt

2017-19-20

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma