Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2017 - zeszyt 8

Optymalizacja obszaru aktywnego międzypasmowego lasera kaskadowego

Optimization of the active region of interband cascade laser

10.15199/48.2017.08.06

Krzysztof RYCZKO

nr katalogowy: 108518
10.15199/48.2017.08.06

Streszczenie

W tym artykule przedstawiono teoretyczne badania struktury pasmowej studni kwantowych II rodzaju InAs/GaInSb i InAs/GaAsSb, które mogą być stosowane jako obszary aktywne międzypasmowych laserów kaskadowych, emitujących w szerokim zakresie średniej podczerwieni. Stosując wielopasmowy model kp obliczono zależność energii oraz siły oscylatora fundamentalnego przejścia optycznego od grubości warstw stanowiących studnie kwantowe dla elektronu.

Abstract

In this paper, we present theoretical investigations of the band structure of type-II InAs/GaInSb and InAs/GaAsSb quantum wells dedicated for the active region of interband cascade lasers emitting in a broad range of mid infrared. We utilize the multiband kp theory in order to calculate the dependence of the energy and oscillator strength of the fundamental optical transition on the thickness of particular layers confining electrons. (Optimization of the active region of interband cascade laser).

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] Bandyopadhyay N., Bai Y., Tsao S., Nida S., Slivken S., Razeghi M., Room temperature continuous wave operation of λ ∼ 3-3.2 μm quantum cascade lasers, Appl. Phys. Lett. 101 (2012), 241110
[2] Tian Z., Li L., Ye H., Yang R.Q., Mishima T.D., Santos M.B., Johnson M.B., InAs-based interband cascade lasers with emission wavelength at 10.4 μm, Electron. Lett. 48 (2012), 113
[3] Bewley W.W., Canedy Ch.L., Kim Ch.S., Kim M., Merritt Ch.D., Abell J., Vurgaftman I., Meyer J.R., Continuous-wave interband cascade lasers operating above room temperature at λ = 4.7- 5.6 μm, Opt. Express 20 (2012), 3235
[4] Vizbaras K., Amann M.C., Room-temperature 3.73 μm GaSbbased type-I quantum-well lasers with quinternary barriers, Semicond. Sci. Technol. 27 (2012), 032001
[5] Motyka M., Ryczko K., Sęk G., Misiewicz J., Bauer A., Höfling S., Forchel A., Type II quantum wells on GaSb substrate designed for laser-based gas sensing applications in a broad range of mid infrared, Opt. Mater. 34 (2012), 1107
[6] Jiang Y., Li L., Tian Z., Ye H., Zhao L., Yang R.Q., Mishima T.D., Santos M.B., Johnson M.B., Mansour K., Electrically widely tunable interband cascade lasers, J. Appl. Phys. 115 (2014), 113101
[7] Vurgaftman I., Canedy C.L., Kim C.S., Kim M., Bewley W.W., Lindle J.R., Abell J., Meyer J.R., Mid-infrared interband cascade lasers operating at ambient temperatures, New J. Phys. 11 (2009), 125015
[8] Vurgaftman I., Bewley W.W., Canedy C.L., Kim C.S., Kim M., Merritt C.D., Abell J., Lindle J.R., Meyer J.R., Rebalancing of internally generated carriers for mid-infrared interband cascade lasers with very low power consumption, Nature Commun. 2 (2011), 585
[9] Zakharova A., Yen S.T., and Chao K.A., Hybridization of electron, light-hole, and heavy-hole states in InAs/GaSb quantum wells, Phys. Rev. B 64 (2001), 235332
[10] Yu X., Gu Y.-X., Wang Q., Wei X., and Chen L.-H., Electronic band structure of a type-II 'W' quantum well calculated by an eight-band kp model, Chin. Phys. B 20 (2011), 030507
[11] Ryczko K., Sęk G., Misiewicz J., Eight-band k·p modeling of InAs/InGaAsSb type-II W-design quantum well structures for interband cascade lasers emitting in a broad range of mid infrared, J. Appl. Phys. 114 (2013), 223519
[12] Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R., Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys, J. Appl. Phys. 89 (2001), 5815

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 108518 "Optymalizacja obszaru akt..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2017-8 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2017-8

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma