Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
ATEST - OCHRONA PRACY
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AURA
AUTO MOTO SERWIS
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
GAZETA CUKROWNICZA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
ODZIEŻ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
Menu
Menu
Menu
Prenumerata
Prenumerata
Publikacje
Publikacje
Drukarnia
Drukarnia
Kolportaż
Kolportaż
Reklama
Reklama
O nas
O nas
ui-button
Twój Koszyk
Twój koszyk jest pusty.
Niezalogowany
Niezalogowany
Zaloguj się
Zarejestruj się
Reset hasła
Czasopismo
|
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
|
Rocznik 2017 - zeszyt 3
Properties, methods of preparation and the most important applications of molybdenum disulfide Właściwości, metody otrzymywania oraz najważniejsze zastosowania disiarczku molibdenu
10.15199/62.2017.3.39
Klaudia Maślana
Karolina Wenelska
Ewa Mijowska
nr katalogowy: 104674
10.15199/62.2017.3.39
A review with 33 refs. In particular, use of MoS2 in optoelectronics, prodn. of transistors, supercapacitors, solar batteries and greases was described used methods of obtaining single layer MoS2 and its most promising applications. Przedstawiono przegląd metod wytwarzania i kierunków wykorzystania disiarczku molibdenu. Opisano jego zastosowanie w optoelektronice, do wytwarzania tranzystorów, superkondensatorów, baterii słonecznych i smarów. Disiarczek molibdenu jest związkiem nieorganicznym, zaliczanym do grupy dichalkogenków metali przejściowych TMD (transition metal dichalcogenides). Ich ogólny wzór ma postać MX2, w której M oznacza atom metalu przejściowego, a X halkogen (S, Se, Te)1-3). Warstwa takiego materiału o grubości 0,65 nm zbudowana jest z jednej warstwy metalu przejściowego, umieszczonej pomiędzy dwiema warstwami chalkogenu X-M-X1, 4-6). Atomy w warstwie połączone są ze sobą wiązaniami kowalencyjnymi, a kolejne warstwy słabymi oddziaływaniami Van der Waalsa, co pozwala na ich łatwą eksfoliację1, 2, 4, 5, 7). W warstwach S-Mo-S różnica elektroujemności siarki i molibdenu prowadzi do częściowo spolaryzowanych wiązań kowalencyjnych. Kationy molibdenu oddają elektrony walencyjne z powłoki d anionom siarki, co prowadzi do ich stopnia utlenienia +4, podczas gdy dla anionu siarki wynosi on -2. Każdy atom molibdenu w warstwie jest związany z sześcioma atomami siarki, a każdy atom siarki jest połączony z trzema atomami molibdenu, co daje heksagonalną sieć krystalograficzną. Patrząc w kierunku prostopadłym do podstawy, atomy siarki i molibdenu są rozmieszczone w sześciokątnych arkuszach8). MoS2 występuje w kilku odmianach polimorficznych. Podstawowe struktury to 2H-MoS2, 3R-MoS2 oraz 1T-MoS2 5, 8). Modele tych struktur przedstawiono na rysunku. Typy 2H oraz 3R występują w naturze i ich budowa jest dobrze znana. Typ 1T otrzymano w wyniku syntezy, dlatego w literaturze istnieją rozbieżności co do jego struktury. Typy 2H [...]
Bibliografia
[1] X. Chia, A.Y.S. Eng, A. Ambrosi, S.M. Tan, M. Pumera, Chem. Rev. 2015, 115, nr 21, 11941. [2] Q.H. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J.N. Coleman, M.S. Strano, Nature Nanotechnol. 2012, 7, 699. [3] C. Lee, H. Yan, L.E. Brus, T.F. Heinz, J. Hone, S. Ryu, ACS Nano 2010, 4, nr 5, 2695. [4] E .P. Nguyen, B.J. Carey, T. Daeneke, J.Z. Ou, K. Latham, S. Zhuiykov, K. Kalantar-Zadeh, Chem. Mater. 2015, 27, nr 1, 53. [5] J.-U. Lee, K. Kim, S. Han, G.H. Ryu, Z. Lee, H. Cheong, ACS Nano 2016, 10, nr 2, 1948. [6] S. Bertolazzi, J. Brivio, A. Kis, ACS Nano 2011, 5, nr 12, 9703. [7] Z.C.Wu, B.E. Li, Y.J. Xue, J.J. Li, Y.L. Zhang, F. Gao, J. Mater. Chem. A 2015, 3, nr 38, 19445. [8] T. Stephenson, Z. Li, B. Olsen, D. Mitlin, Energy Environ. Sci. 2014, 7, 209. [9] S. Presolski, M. Pumera, Mater. Today 2016, 19, nr 3, 140. [10] Y. Huang, J. Guo, Y. Kang, Y. Ai, C.M. Li, Nanoscale 2015, 7, 19385. [11] K. Zhou, W. Yang, G. Tang, B. Wang, S. Jiang, Y. Hu, Z. Gui, RSC Adv. 2013, 3, 25030. [12] K. Zhou, S. Jiang, C. Bao, L. Song, B. Wang i in., RSC Adv. 2012. 2, 11695. [13] T.F. Jaramillo, K.P. Jørgensen, J. Bonde, J.H. Nielsen i in., Science 2007, 317, nr 5834, 100. [14] K.P. Loh, H. Zhang, W.Z. Chen,W. Ji, J. Phys. B. 2016, 110, nr 3, 1235. [15] J.R. Ota, S.K. Srivastava, J Nanosci. Nanotechnol. 2006, 6, 1, 168. [16] V. Pol, S.V. Pol, P. George, A. Gedanken, J. Mater. Sci. 2008, 43, nr 6, 1966. [17] H. Liao, Y. Wang, S. Zhang, Y. Qian, Chem. Mater. 2001, 13, nr 1, 6. [18] G.S. Bang, K.W. Nam, J.Y. Kim, J. Shin, J.W. Choi, S.-Y. Choi, ASC Appl. Mater. Interfaces 2014, 6, nr 10, 7084. [19] K.S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T.J. Booth, V.V. Khotkevich i in., PNAS 2005, 102, nr 30, 10451. [20] A. O’Neill, U, Khan, J.N. Coleman, Chem. Mater. 2012, 24, nr 12, 2414. [21] S. Goler, V. Piazza, S. Roddaro, V. Pellegrini, F. Beltram, P. Pingue, J. Appl. Phys. 2011, 110, nr 6, 064308. [22] Z. Zeng, Z. Yin, X. Huang, H. Li, Q. He, G. Lu, F. Boey, H. Zhang, Angew. Chem. Int. Ed. 2012, 50, nr 47, 11093. [23] J.N. Coleman, M. Lotya, A. O’Neill, S.D. Bergin, P.J. King i in., Science 2011, 331, nr 6017, 568. [24] W. Gu, J. Shen, X. Ma, Nanoscale Res Lett. 2014, 9, nr 1, 1. [25] Y.-H. Lee, X.-Q. Zhang, W. Zhang, M.-T. Chang, C.-T. Lin i in., Adv. Mater. 2012, 24, 2320. [26] Y. Peng, Z. Meng, C. Zhong, J. Lu, W. Yu, Z. Yang, Y. Qian, J. Solid State Chem. 2001, 159, 170. [27] A. Splendiani, L. Sun, Y. Zhang, T. Li, J. Kim, C.-Y. Chim, G. Galli, F. Wang, Nano Lett. 2010, 10, nr 4, 1271. [28] B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis, Nature Nanotechnol. 2011, 6, 147. [29] W. Zhou, X. Zou, S. Najmaei, Z. Liu, Y. Shi, J. Kong i in., Nano Lett. 2013, 13, nr 6, 2615. [30] K.-J. Huang, J.-Z. Zhang, G.-W. Shi. Y.-M. Liu, Electrochim. Acta 2014, 132, 397. [31] L. David, R. Bhandavat, U. Arrera, G. Singh, Sci. Rep. 2015, 5, 9792. [32] D. Sarkar, W. Liu, X. Xie, A.C. Anselmo, S. Mitragotri, K. Banerjee, ACS Nano 2014, 8, nr 4, 3992. [33] T. Stephenson, Z. Li, B. Olsen, D. Mitlin, Energy Environ. Sci. 2014, 7, nr 1, 209. [34] M.-L. Tsai, S.-H. Su, J.-K. Chang, D.-S. Tsai, C.-T. Chen i in., ACS Nano 2014, 8, nr 8, 8317.
Zeszyt
PRZEMYSŁ CHEMICZNY - e-zeszyt (pdf) 2017-3
licencja: Osobista
Produkt cyfrowy
55.00 zł
Do koszyka
Prenumerata
PRZEMYSŁ CHEMICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista
Produkt cyfrowy
Nowość
762.00 zł
Do koszyka
PRZEMYSŁ CHEMICZNY - prenumerata PLUS
licencja: Osobista
Szczegóły pakietu
Nazwa
PRZEMYSŁ CHEMICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
1002.00 zł brutto
927.78 zł netto
74.22 zł VAT
(stawka VAT 8%)
1002.00 zł
Do koszyka
PRZEMYSŁ CHEMICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista
Szczegóły pakietu
Nazwa
PRZEMYSŁ CHEMICZNY - papierowa prenumerata roczna
960.00 zł brutto
888.89 zł netto
71.11 zł VAT
(stawka VAT 8%)
PRZEMYSŁ CHEMICZNY - pakowanie i wysyłka
42.00 zł brutto
34.15 zł netto
7.85 zł VAT
(stawka VAT 23%)
1002.00 zł
Do koszyka
Open Access
Zeszyt
2017-3
Czasopisma
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH