Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2016 - zeszyt 10

Osadzanie i charakteryzacja cienkich warstw dielektrycznych AlOxNy

10.15199/13.2016.10.15

nr katalogowy: 101668
10.15199/13.2016.10.15

Deposition and characterization of thin AlOxNy dielectric films Streszczenie W pracy przedstawiono wyniki badań warstw dielektrycznych tlenkoazotku glinu (AlOxNy), wytworzonych metodą reaktywnego osadzania magnetronowego na podłożach krzemowych oraz węgliko- -krzemowych. Zbadany został wpływ parametrów technologicznych procesu na najważniejsze parametry elektrofizyczne uzyskiwanych warstw. Redukcja liczby eksperymentów przy użyciu tablic ortogonalnych Taguchi’ego oraz charakteryzacja optyczna i elektryczna struktur MIS (Metal-Isolator-Semiconductor) wytwarzanych na podłożach Si w pierwszej części pracy umożliwiły dokonanie wyboru najkorzystniejszych parametrów procesów osadzania z punktu widzenia docelowych parametrów warstwy dielektrycznej. Pozwoliło to w dalszej kolejności na realizację odpowiednich procesów osadzania na podłożach SiC, które zostały przeanalizowane w drugiej części pracy. Uzyskane wyniki badań wskazały potencjalne zastosowanie warstw dielektrycznych na bazie glinu, które mogą zostać wykorzystane jako warstwy pasywujące w przyrządach wysokonapięciowych. Słowa kluczowe: dielektryczne warstwy AlOxNy, kondensator MIS, reaktywne osadzanie magnetronowe, charakteryzacja elektryczna, pomiary C-V, pomiary I-V Abstract In this work, the results of investigations of aluminum oxynitride (AlOxNy) dielectric thin films, deposited by reactive magnetron sputtering on silicon and silicon carbide substrates were presented. The main purpose of this work was the development of AlOxNy dielectric thin films and investigation of the influence of deposition parameters on the electrophisical parameters. The use of Taguchi’s orthogonal arrays methods to reduce the number of experiments and the optical and electrical characterization of MIS (Metal-Isolator-Semiconductor) structures on Si in the first part of the work allow the deposition process optimization. Subsequently, mentioned earlier reasons allow to prepare proce[...]

Bibliografia

[1] Y. H. Lin, JK. C. Hsu, Y. Ding, P. W. Wang, (2009) “Optical Properties of High Transmittance Aluminum Oxynitride Thin Films for Spectral Range from Near Ultraviolet to Visible", Optical Review, Vol. 16, No. 3, 400-403.
[2] J. Borges, F. Macedo, E. M. Couto, M. S. Rodrigues, C. Lopes, P. Pedrosa, T. Polcar, L. Marques, V. Vaz, (2015) “The influence of nitrogen and oxygen additions on the thermal characteristics of aluminium-based thin films", Material Chemistry and Physics, 163, pp. 569-580.
[3] J. Borges, N. Martin, N. P. Barradas, E. Alves, D. Eyudi, M. F. Beaufort, J. P. Riviere, F. Vaz, L. Marques, (2012) “Electrical properties of AlNxOy thin films prepared by reactive magnetron sputtering", Thn Solid Films, 520, pp. 6709-6717.
[4] N. J. Ianno, H. Enshashy, R. O. Dillon, (2002) “Aluminum oxynitride coatings for oxidation resistance of epoxy films", Surface and Coatings Technology, 155, pp. 130-135.
[5] J. Borges, F. Vaz, L. Marques, (2010) “AlNxOy thin films deposited by DC reactive magnetron sputtering", Applied Surface Science, 257, pp. 1478-1483.
[6] K. R. Bray, R. L. C. Wu, S. Fries-Carr, J. Weimer, (2009) “Aluminium oxynitride dielectrics for multilayer capacitors with higher energy density and wide temperature properties", Thin Solid Films, 518, pp. 366-371.
[7] A. G. Erlat, B. M. Henry, J. J. Ingram, D. B. Mountain, A. McGuigan, (2001) “Characterization of aluminium oxynitride gas barrier films", Thin Solid Films, 388, pp. 78-86.
[8] P. Panda, S. K. Singh, S. P. Sinha, (2012) “Synthesis of γ-Aluminium Oxynitride Spinel Using Thermal Plasma Technique", AIP Conf. Proc. 1461, 316.
[9] H. Demiryont, L. R. Thompson, G. J. Collins, (1986) “Optical and electrical charakteryzations of laser-chemical-vapor-deposited aluminium oxynitride films", J. Appl. Phys., 59, No. 9, pp. 3235-3240.
[10] I. G. Batyrev, D. E. Taylor, G. A. Gazonas, J. W. McCauley, (2014) “Dencity functional theory and evolution algorithm calculations of elastic properties of AlON", J. Appl. Phys., 115, 023505.
[11] N.-H. Chen, C.-Y. Wang, J.-C. Hwang, F.-S. Huang, (2012) “MOCVD Al Nanocrystals Embedded in AlOxNy Thin Films for Nonvolatile Memory", ECS Journal of Solid State Science and Technology, 1 (4), pp. 190-196.
[12] G. Taguchi, S. Konishi, (1987) “Orthogonal Arrays and Linear Graphs", ASI Press.

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 101668 "Osadzanie i charakteryzac..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2016-10 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2016-10

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma