Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2016 - zeszyt 9

Wpływ parametrów fizycznych warstwy ITO na pracę azotkowych laserów typu VCSEL

10.15199/13.2016.9.11

nr katalogowy: 101101
10.15199/13.2016.9.11

W pracy przedstawiono wyniki modelowania półprzewodnikowego lasera o emisji powierzchniowej z pionową wnęką rezonansową wykonanego z materiałów azotkowych. Jednym z kluczowych elementów tych konstrukcji jest warstwa ITO (ang. Indium Tin Oxide) charakteryzująca się wysoką przewodnością elektryczną, ale jednocześnie wysoką absorpcją. Warstwa ta zapewnia odpowiedni rozpływ prądu w strukturze. W pracy przedstawiono wpływ zmian wartości przewodności elektrycznej i absorpcji warstwy ITO na pracę lasera VCSEL. Analizę przeprowadzono dla struktur różniących się długościami rezonatora i aperturami elektrycznymi. Słowa kluczowe: ITO, GaN, laser VCSEL, laser półprzewodnikowy.Półprzewodnikowe lasery VCSEL (od ang. Vertical-Cavity Surface- Emitting Laser) cechuje między innymi praca na pojedynczym modzie podłużnym, duża szybkość modulacji, niska cena, mała szerokość spektralna wiązki. Dlatego lasery te znalazły wiele zastosowań. Obecnie w komercyjnych zastosowaniach używa się prawie wyłącznie laserów VCSEL wy-konanych z materiałów arsenkowych, które emitują promieniowanie czerwone i podczerwo- ne. Wykorzystuje się je powszechnie np. w optycznym przesyle informacji na krótkie odległości. W latach 90. firma Nichia z Japonii jako pierwsza skonstruowała laser emitujący niebieską wiązkę [1]. Był to laser o emisji krawędziowej EEL (ang. Edge Emitting Laser). Od tego czasu wiele ośrodków naukowych podejmowało próby wytworzenia laserów azotko-wych typu VCSEL działających w temperaturze pokojowej z falą ciągłą. Do tej pory tylko kilka ośrodków naukowych wytworzyło działające konstrukcje tego typu. Pierwszy laser pracujący w temperaturze pokojowej z falą ciągłą został skonstruowany przez UCT (ang. Universitat Ciao Tung) z Tajwanu dopiero w roku 2012 [2]. Podobne konstrukcje skonstruo-wano również w EPFL (fr. École Polytechnique Fédérale de Lausanne) [3], w U CST - Uniwersytet St. Barbara w Kalifornii [4] oraz w firmie Nichia [5] i Panasonic [6]. Jed[...]

Bibliografia

[1] S. Nakamura et al., 1996: "Room temperature continuous wave operation of InGaN multi quantum well structure laser diodes" Appl. Phys. Lett., nr 69, pp. 4056-8.
[2] T.-C. Lu et al., 2010: “Continuous wave operation of current injected GaN vertical cavity surface emitting lasers at room temperature", Appl. Phys. Lett. nr 97, 071114.
[3] G. Cosendey et al., 2012: “Blue monolithic AlInN-based vertical cavity surface emitting laser diode on free-standing GaN substrate", Appl. Phys. Lett. 101, pp. 151113.
[4] C. Holder et al., 2013: “Demonstration of nonpolar GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers", Proc. SPIE, vol. 8639, pp. 863906.
[5] D. Kasahara et al., 2011: “Demonstration of blue and Green GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers by current injection at room temperature", Appl. Phys. Express, vol. 4, pp. 072103.
[6] T. Onishi et al., 2012: "Continuous Wave Operation of GaN Vertical Cavity Surface Emitting Lasers at Room Temperature“, Journal of quantum electronics, vol. 48, no. 9.
[7] Y.-Y. Lai et al., 2014: “Numerical analysis on current and optical confinement of III-nitride vertical-cavity surface-emitting lasers", vol. 22, no. 8, Optics Express.
[8] M. Kuc et al., 2013: "Thermal crosstalk in arrays of III-N-based Lasers", Materials Science and Engineering: B, vol. 178, no. 20, pp. 1395-1402.
[9] R. P. Sarzała et al.,2004: "Optimisation of the 1.3-μm GaAsbased oxide-confined (GaIn)(NAs) vertical-cavity surface-emitting lasers for their low-threshold room-temperature operation (invited)", Journal of Physics: Condensed Matter vol. 16, pp. S3121-S3140.
[10] M. Marciniak et al. 2015: "Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL“, Przegląd Elektrotechniczny, R. 91 nr 9, 125- 129.
[11] J. T. Leonard et al., 2016: "Nonpolar III-nitride vertical-cavity surface- emitting laser with a photoelectrochemically etched air-gap aperture“, Appl. Phys. Lett., 108, 031111.
[12] J. T. Leonard et al., 2015: "Nonpolar III-nitride vertical-cavity surface- emitting lasers incorporating an ion implanted aperture“, Appl. Phys. Lett. 107, 011102.

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 101101 "Wpływ parametrów fizyczny..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2016-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2016-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma