Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2016 - zeszyt 9

Aktywność defektów w pomiarach elektrycznych i optycznych złączy fotowoltaicznych na bazie CdTe

10.15199/48.2016.09.11

nr katalogowy: 100499
10.15199/48.2016.09.11

W niniejszym artykule przedstawione zostały wyniki badań defektów w strukturach fotowoltaicznych na bazie CdTe, otrzymanych techniką epitaksji z wiązek molekularnych (MBE). Do charakteryzacji defektów w badanych złączach wykorzystano różne metody pomiarowe, takie jak: charakterystyki prądowo-napięciowe, niestecjonarna spektroskopia głębokich poziomów (DLTS) i fotoluminescencja (PL), mierzone w szerokim zakresie temperatur. Pokazano, że sprawności badanych diod są stosunkowo niskie, na co mają wpływ defekty występujące w ich strukturze. W oparciu o wyniki pomiarów widm DLTS i PL wyznaczono parametry defektów oraz określono źródło ich pochodzenia. Abstract. In this article the results of investigations of defects in photovoltaic structures based on CdTe grown by the molecular beam epitaxy (MBE) technique have been presented. For the characterization of defects in the studied junctions various measurement methods have been used, such as: current-voltage characteristics, deep level transient spectroscopy (DLTS) and photoluminescence (PL), measured in a broad temperature range. It has been shown that the efficiency of the investigated diodes are relatively low, what is caused by the defects present in their structure. Based on the results of the DLTS- and PL spectra the parameters of defects have been determined and their possible origin has been discussed. (Activity of defects in the electrical- and optical measurements of photovoltaic junctions based on CdTe). Słowa kluczowe: fotowoltaika, CdTe, charakterystyki I-V, fotoluminescencja, technika DLTS. Keywords: photovoltaics, CdTe, I-V characteristics, photoluminescence, DLTS technique. Wprowadzenie Na całym świecie obserwujemy wzrost zainteresowania odnawialnymi źródłami energii. Ogromne nadzieje upatruje się w energetyce słonecznej. Jedną z metod wykorzystywania energii emitowanej przez Słońce jest konwersja fotowoltaiczna. Technologia ta jest przyjazna dla środowiska i nie wymaga zasilania[...]

Bibliografia

[1] Landolt-Börstein, III/41: Semiconductors, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 1999
[2] Wu X., High-efficiency polycrystalline CdTe thin-film solar cells, Solar Energy, vol. 77, (2004), 803-814
[3] Green M.A., Emery K., Hishikawa Y., Warta W., Dunlop E.D., Solar cell efficiency tables (Version 45), Prog. Photovolt: Res. Appl., vol. 23, (2015), 1-9
[4] Fahrenbruch A.L., Bube R.H., Fundamentals of Solar Cells: Photovoltaic Solar Energy Conversion, Academic Press, New York 1983
[5] Wu X., Dhere R.G., Albin D.S., Gessert T.A., DeHart C., Keane J.C., Duda A., Coutts T.J., Asher S., Levi D.H., Moutinho H.R., Yan Y., Moriarty T., Johnston S., Emery K., Sheldon P., High- Efficiency CTO/ZTO/CdS/CdTe Polycrystalline Thin-Film Solar Cells, Proc. of NREL/CP-520-31025 PV Program Review Meeting, (2001), 1-2
[6] Farag A.A.M., Yahia I.S., Wojtowicz T., Karczewski G., Influence of temperature and illumination on the electrical properties of p-ZnTe/n-CdTe heterojunction grown by molecular beam epitaxy, J. Phys. D: Appl. Phys., vol. 43, (2010), 1-7
[7] Yahia I.S., Yakuphanoglu F., Chusnutdinow S., Wojtowicz T., Karczewski G., Photovoltaic characterization of n-CdTe/p- CdMnTe/GaAs diluted magnetic diode, Current Applied Physics, vol. 13, (2013), 537-543
[8] Lee J., Giles N.C., Rajavel D., Summers C.J., Donor‐acceptor pair luminescence involving the iodine A center in CdTe, J. Appl. Phys., vol. 78, (1995), 5669-5674
[9] Hofmann D.M., Omling P., Grimmeiss H.G., Identification of the chlorine A center in CdTe, Phys. Rev. B, vol. 45, (1992), 6247- 6250
[10] Romero M.J., Gessert T.A., Al-Jassim M.M., Carrier diffusion and radiative recombination in CdTe thin films, Appl. Phys. Lett., vol. 81, (2002), 3161-3163
[11] Zielony E., Olender K., Placzek-Popko E., Wosinski T., Racino A., Gumienny Z., Karczewski G., Chusnutdinow S., Electrical and photovoltaic properties of CdTe/ZnTe n-i-p junctions grown by molecular beam epitaxy, J. Appl. Phys., vol. 115, (2014), 244501-244508

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 100499 "Aktywność defektów w pomi..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2016-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2016-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma