Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2016 - zeszyt 8

Kompleksowa charakteryzacja nowoczesnych struktur nanoelektronicznych przy użyciu Uniwersalnego Systemu Pomiarów Fotoelektrycznych

10.15199/13.2016.8.9

nr katalogowy: 100440
10.15199/13.2016.8.9

Działanie przyrządów półprzewodnikowych w większości przypadków oparte jest na zjawiskach występujących w wielowarstwowych układach różnych materiałów i zależy od właściwości tych materiałów. Podstawowym elementem wchodzącym w skład niemalże każdego przyrządu półprzewodnikowego jest struktura MOS (ang. metal-oxidesemiconductor), w związku z czym struktura ta jest doskonałym narzędziem do oceny właściwości materiałowych i parametrów elektrycznych tych przyrządów. Wraz ze zmianą technologii wytwarzania struktur MOS konieczna jest umiejętność zrozumienia nowych zjawisk fizycznych w nich występujących oraz wymagany jest dalszy rozwój metod badawczych. Wiele kluczowych parametrów badanych struktur może być bardzo dokładnie wyznaczona na podstawie pomiarów fotoelektrycznych co sprawia, że metody te zyskują duże znaczenie w charakteryzacji rozmaitych struktur nanoelektronicznych. W pracy przedstawiono wyniki pomiarów elektrycznych i fotoelektrycznych wykonanych na wielu strukturach MOS w celu prezentacji możliwości Uniwersalnego Systemu Pomiarów Fotoelektrycznych. System ten powstał w Zakładzie Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych ITE na podstawie własnych koncepcji i założeń i realizuje oryginalne metody pomiarowe opracowane w tym Zakładzie. Słowa kluczowe: pomiary fotoelektryczne, struktura MOS.Aby sprostać wymogom stawianym przez ciągły rozwój technologii struktur nanoelektronicznych związany m.in. ze zmianą materiałów poszczególnych warstw czy też z miniaturyzacją tych struktur konieczne stało się opracowanie takiego systemu pomiarowego, który umożliwiałby wszechstronną i kompleksową charakteryzację tych struktur. Bazując na zbudowanym w naszym Zakładzie (2001) Wielozadaniowym Systemie Badań Fotoelektrycznych (WSBF) [1] oraz wykorzystując doświadczenia nabyte w trakcje pracy z tym systemem sformułowane zostały nowe założenia, na podstawie których skonstruowany został Rys. 1. Uniwersalny System Pomiarów Fotoelektrycznych [...]

Bibliografia

[1] S. Porębski, P. Machalica, J. Zając, L. Borowicz, A. Kudła, H.M. Przewłocki, (2003). Universal system for photoelectric characterization of semiconductor structures", IEE Proceedings a Science Measurement and Technology 150(4), 148-152.
[2] K. Piskorski, H. M. Przewłocki, (2006) "Distribution of the potential barrier height local values at Al-SiO2 and Si-SiO2 interfaces of the metal-oxide-semiconductor (MOS) structures", Bulletin of Polish Academy of Sciences, Technical Sciences 54(4), 461-468.
[3] H.M. Przewłocki, A. Kudła, K. Piskorski, D. Brzezińska, (2008) "Distributions of barrier height, difference of effective contact potential, and local values of flat-band voltage in Al-SiO2-Si and poly-Si-SiO2-Si structures", Thin Solid Films 516, 4184-4189.
[4] V.V. Afanas’ev, (2008). Internal photoemission spectroscopy. Principles and applications, Elsevier, Oxford.
[5] H.M. Przewłocki, 1999. "Internal photoemission characteristics of metal-insulator-semiconductor structures at low electric fields in the insulator", Journal of Applied Physics 85(9), 6610-6618.
[6] H.M. Przewłocki, 2001 "Theory and applications of internal photoemission in the MOS system at low electric fields", Solid State Electronics 45, 1241-1250.
[7] S. Krawczyk, H.M. Przewłocki, A. Jakubowski, "New ways to measure the work function difference in MOS structures", Revue de Physique Appliquee 17, 473-480, (1982).
[8] E.H. Nicollian, J.R. Brews, (1982). MOS Physics and Technology, J. Wiley and Sons, New York.
[9] K. Piskorski, H.M. Przewłocki, (2010). "Metody określania napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku w strukturze MOS", Elektronika 10, 18-21.
[10] H.M. Przewłocki, T. Gutt, K. Piskorski, (2014) "The inflection point of the capacitance-voltage, C(VG), characteristic and the flat-band voltage of metal-oxide-semiconductor structures", Journal of Applied Physics 115, 204510.
[11] R.J. Powell, (2014) "Photoinjection into SiO2: Use of optical interference to determine electron and hole contributions", Journal of Applied Physics 40(13), 5093-5101.
[12] C.N. Berglund, R.J. Powell, (1971) "Photoinjection into SiO2: Electron scattering in the image force potential well", Journal of Applied Physics 42(2), 573-579.
[13] R.H. Fowler, (1931) "The analysis of photoelectric sensitivity curves for clean metals at various temperatures", Physical Review 38, 45-56.
[14] K. Piskorski, 2015. "Opracowanie fotoelektrycznych metod określania rozkładów lokalnych wartości parametrów elektrycznych struktur MOS w płaszczyźnie powierzchni bramki", Rozprawa doktorska, ITE, Warszawa, wrzesień 2015.

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 100440 "Kompleksowa charakteryzac..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2016-8 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2016-8

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma